[发明专利]洗涤组合物、洗涤方法和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种用于除去在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的洗涤组合物，其特征在于，含有

57～95重量％的成分a即水、

1～40重量％的成分b即具有仲羟基和/或叔羟基的羟基化合物、

成分c即有机酸、以及

成分d即季铵化合物，

pH为5～10。

2.根据权利要求1所述的洗涤组合物，其中，所述成分b为二醇化合物。

3.根据权利要求2所述的洗涤组合物，其中，所述成分b为至少具有仲羟基和选自伯～叔羟基中的任一种羟基的化合物。

4.根据权利要求3所述的洗涤组合物，其中，所述成分b是选自二丙二醇、2-甲基-2，4-戊烷二醇和1，3-丁烷二醇的化合物。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的洗涤组合物，其中，还含有成分e即羟胺和/或其盐。

6.根据权利要求1所述的洗涤组合物，其中，所述成分c是仅以C、H和O作为构成元素的羧酸。

7.根据权利要求6所述的洗涤组合物，其中，所述成分c是选自柠檬酸、乳酸、乙醇酸、草酸、乙酸、丙酸、正戊酸、异戊酸、琥珀酸、苹果酸、戊二酸、马来酸、富马酸、邻苯二甲酸、1，2，3-苯三羧酸、水杨酸、酒石酸、葡萄糖酸和丙二酸的化合物。

8.根据权利要求1所述的洗涤组合物，其中，还含有成分f即含氨基的羧酸。

9.根据权利要求8所述的洗涤组合物，其中，所述成分f为组氨酸或精氨酸。

10.根据权利要求1所述的洗涤组合物，其中，还含有成分g即无机酸和/或其盐。

11.根据权利要求10所述的洗涤组合物，其中，所述成分g为选自磷酸、硼酸、磷酸铵和硼酸铵中的化合物。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含使用权利要求1～4中任一项所述的洗涤组合物洗涤在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的工序。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体基板包含铝或铜。

14.一种洗涤方法，其特征在于，包含制备洗涤组合物的工序以及将在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣用所述洗涤组合物除去的工序，所述洗涤组合物含有57～95重量％的成分a即水、1～40重量％的成分b即具有仲羟基和/或叔羟基的羟基化合物、成分c即有机酸、以及成分d即季铵化合物，pH为5～10。