[发明专利]用于MR成像中并行传输的系统和方法无效
申请号: | 201110078840.6 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN102293649A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | V·阿拉加潘;F·J·L·罗布;V·塔拉奇拉 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | A61B5/055 | 分类号: | A61B5/055 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 柯广华;王忠忠 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 mr 成像 并行 传输 系统 方法 | ||
1.一种MRI系统(10),包括:
主磁体(54),具有通过其的孔;
多个梯度线圈(50),绕所述主磁体(54)的所述孔放置;
RF传输线圈(56),布置在所述主磁体(54)的所述孔内并配置成生成RF场,所述RF场激励所述孔内放置的对象的核以生成RF共振信号;
RF接收线圈的阵列(65),布置在所述主磁体(54)的所述孔内并相对于所述RF传输线圈(56)放置以便接收所述RF共振信号;以及
失谐电路(76),耦合至所述RF接收线圈的阵列(65)中每个RF接收线圈(70)并且选择性地在禁用和启用状态之间转换以控制所述RF接收线圈(70)的阻抗和共振;
其中,每个RF接收线圈(70)在其相应的失谐电路(76)在所述禁用状态中时被促使接收RF共振信号;以及
其中,每个RF接收线圈(70)在其相应的失谐电路(76)在所述启用状态中时被促使修改所述RF传输线圈(56)生成的所述RF场的振幅和相位。
2.如权利要求1所述的MRI系统(10),其中所述失谐电路(76)在所述MRI系统操作的接收相位期间处于所述禁用状态中,而在所述MRI系统(10)操作的传输相位期间处于所述启用状态中。
3.如权利要求1所述的MRI系统(10),其中每个失谐电路(76)配置成使相应RF接收线圈(70)失调以在所述启用状态中时具有电感性阻抗,使得由所述RF传输线圈(56)在所述相应RF接收线圈(70)中感应出电流,以便促使所述相应RF接收线圈(70)生成局部RF场。
4.如权利要求3所述的MRI系统(10),其中由所述RF接收线圈的阵列(65)中的每个RF接收线圈(70)生成的局部RF场添加到所述RF传输线圈(56)生成的RF场。
5.如权利要求1所述的MRI系统(10),其中每个失谐电路(76)配置成选择性地为其相应的RF接收线圈(70)提供用于无源并行传输和有源并行传输状态,其中所述失谐电路(76)为无源并行传输设置用于其相应RF接收线圈(70)的固定偏共振值,并且为有源并行传输动态地调整用于其相应RF接收线圈(70)的偏共振值。
6.如权利要求1所述的MRI系统(10),其中所述失谐电路(76)包括:
二极管(90),配置成启用和禁用所述失谐电路(76);
变容器二极管(92),修改所述失谐电路(76)中的电容,由此控制所述失谐电路(76)的共振;
可变衰减器(94),控制所述失谐电路(76)中的阻抗;以及
DC控制系统(108-116),配置成生成DC信号以控制所述二极管(90)、所述变容器二极管(92)和所述可变衰减器(94)中的每个。
7.如权利要求6所述的MRI系统(10),其中所述可变衰减器(94)包括:
多个电阻器(96-100);以及
多个二极管(102-106),其中所述多个二极管(102-106)中的每个与所述多个电阻器(96-100)中的相应电阻器并联放置;
其中所述DC控制系统(108-116)选择性地控制所述多个二极管(102-106)中的每个以便控制所述可变衰减器(94)的阻抗。
8.如权利要求1所述的MRI系统(10),其中所述失谐电路(76)配置成当所述RF传输线圈(56)正在传输时动态地控制所述RF接收线圈(70)的阻抗。
9.如权利要求1所述的MRI系统(10),其中所述失谐电路(76)在处于所述启用状态中时,促使其相应RF接收线圈(70)中的阻抗具有阻止所述RF接收线圈的阵列(65)中的多个RF接收线圈(70)之间的线圈间耦合的幅度。
10.如权利要求1所述的MRI系统(10),其中当所述失谐电路(76)处于所述启用状态中时,所述RF传输线圈(56)和所述RF接收线圈的阵列(65)形成并行传输线圈布置。
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