[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。

背景技术

有机电致发光(OLED)照明产品虽仍处研发阶段，但其优势仍不胜枚举，不但具备可弯曲、柔软等特性，在薄如糖果纸的OLED照明上任意打洞，也无损其维持正常发亮，甚至可以任意裁切，也因此能免于灯泡打破等类似情形发生。

另一方面，就技术层面而言，发光二极管(LED)发热量大，需要散热机制，但OLED照明却不需要。若观察OLED灯与荧光灯一起点亮情形，可以发现荧光灯温度会从室温升高至50℃；OLED灯点亮后温度仅从20℃升高为30℃，可免除使用者烫手的危险，较符合安全考虑。

然而，具备多种优势特性的OLED灯为何仍未量产，主因在于亮度、使用寿命与发光效率三大问题。一般照明需求须达到1,000cd/m²亮度以上，使用寿命达10,000小时以上，发光效率则必须提高至30lm/W，但目前OLED灯达此亮度需要的电流密度很大，而电流密度增大后势必会影响使用寿命和发光效率，这样严重影响OLED的产业化进程。

发明内容

了解决上述问题，本发明提供了一种电流效率高、操作电压低、使用寿命长，且能量效率高的有机电致发光器件。

本发明的技术方案：

一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为：基板/透明阳极层/空穴注入层/第一空穴传输层/第一发光层/第一电子传输层/电荷产生层/第二空穴传输层/第二发光层/第二电子传输层/电子注入层/金属阴极层；其中，所述电荷产生层包括：p型空穴产生层/界面层/n型电子产生层，且所述p型空穴产生层与所述第一电子传输层紧贴，所述n型电子产生层与所述空第二穴传输层紧贴。

所述的有机电致发光器件，其中，所述p型空穴产生层的材质为Li₂O、Cs₂CO₃、LiF或CsF中的任一种；所述界面层的材质为PbO、Sb₂O₅、ZnSe、GaN、SiC、Al或Ag中任一种；所述n型电子产生层的材质为MoO₃、V₂O₅或WO₃中的任一种；所述空穴注入层的材质为MoO₃、WO₃或V₂O₅中的任一种；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材质分别为苯基吗琳(NPB)或N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TPD)；所述第一发光层和第二发光层的材质分别为2，2’，2”(1，3，5-三苯基)三-[1-苯基-1-苯并咪唑]掺杂4wt％三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)₂(acac))；所述第一电子传输层和第一电子传输层的材质分别为8-羟基喹啉铝或4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)；所述电子注入层的材质为LiF或CsF。

所述的有机电致发光器件，其中所述n型电子产生层的厚度为2～3nm；所述界面层的厚度为0.1～5nm；所述p型电子产生层的厚度为3～10nm；所述空穴注入层的厚度为10～15nm；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的厚度分别为40～60nm；所述第一发光层和第二发光层的厚度分别为10～20nm；所述第一电子传输层和第一电子传输层的厚度分别为20～80nm；所述电子注入层的厚度为1～2nm。

本发明的另一目的在于提供上述有机电致发光器件的制备方法，其制备工艺步骤如下：

首先，在清洗后的基板一个表面依次制备透明阳极层、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层；

其次，在所述第一电子传输层表面依次制备p型空穴产生层、界面层、n型电子产生层，且p型空穴产生层、界面层和n型电子产生层构成电荷产生层；

接着，在电荷产生层的表面依次制备第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层、金属阴极层，制得有机电致发光器件胚体；

最后，将上述制得的有机电致发光器件胚体于惰性气体下，22℃～24℃温度范围内，使用紫外固化环氧固化剂和玻璃封盖所述有机电致发光器件胚体，并在封盖内加装干燥剂来吸附残留的水分，随后大气条件下，60℃热处理1小时后，制得有机电致发光器件。