[发明专利]托盘及具有其的基片加工设备无效
申请号: | 201110079030.2 | 申请日: | 2011-03-30 |
公开(公告)号: | CN102719808A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 徐亚伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 托盘 具有 加工 设备 | ||
1.一种托盘,其特征在于,包括:
托盘本体,所述托盘本体内部具有中空结构,其中,所述中空结构中填充有熔点低于所述托盘本体的材料。
2.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述托盘本体具有环形基片承载区,在所述基片承载区所对应的位置设置有环形中空结构。
3.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述托盘本体包括:
第一本体,所述第一本体的下表面具有第一凹槽;和
第二本体,所述第二本体的上表面具有与所述第一凹槽匹配的第二凹槽,所述第一本体和第二本体相互连接以使所述第一凹槽和第二凹槽形成所述中空结构。
4.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,还包括:
设置在所述托盘本体之间的第一连接机构,所述第一连接结构将所述第一本体和第二本体相连。
5.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述托盘本体包括:
第三本体;和
第四本体,所述第四本体设置在所述第三本体之下,其中,所述第四本体中形成有所述中空结构。
6.如权利要求5所述的托盘,其特征在于,还包括:
设置在所述托盘本体之间的第二连接机构,所述第二连接结构将所述第三本体和第四本体相连。
7.如权利要求1-6任一项所述的托盘,其特征在于,所述填充在所述中空结构中的材料为铋、锡、铅、镉和铟之一,或为所述铋、锡、铅、镉和铟中任意至少两种的组合。
8.如权利要求7所述的托盘,其特征在于,还包括:
形成在所述托盘本体中的至少一个通道,所述至少一个通道的一端与所述中空结构相连,另一端暴露在所述托盘本体的外边缘,所述通道用于向所述中空结构中填充所述材料。
9.如权利要求8所述的托盘,其特征在于,所述通道中填充有石墨、SiC、钼或钼合金。
10.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述托盘本体为石墨、SiC、钼或钼合金。
11.如权利要求10所述的托盘,其特征在于,如果所述托盘本体为石墨,则所述托盘本体的表面还涂覆有SiC或氮化硼。
12.一种基片加工设备,其特征在于,包括:
反应腔,所述反应腔包括反应腔内壁和反应腔外壁,所述反应腔内壁用于限定有反应空间;
多个感应线圈,所述多个感应线圈设置在所述反应腔外壁的外侧;和
一个托盘,所述托盘为如权利要求1-11任一项所述的托盘。
13.一种基片加工设备,其特征在于,包括:
反应腔,所述反应腔包括反应腔内壁和反应腔外壁,所述反应腔内壁用于限定反应空间;
多个感应线圈,所述多个感应线圈设置在所述反应腔外壁的外侧;和
多个托盘,所述托盘为如权利要求1-11任一项所述的托盘。
14.如权利要求13所述的基片加工设备,其特征在于,所述多个托盘在所述反应空间内竖直地或水平地等间隔设置。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的