[发明专利]用于荧光发光管的真空密封容器有效
申请号: | 201110079426.7 | 申请日: | 2011-03-30 |
公开(公告)号: | CN102208318A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 铃木敏夫;明乐诚;田岛浩二;冬木敏光;森元荣二;井上和 | 申请(专利权)人: | 双叶电子工业株式会社 |
主分类号: | H01J29/87 | 分类号: | H01J29/87 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 陈小莲;周建秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 荧光 发光 真空 密封 容器 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求申请号为2010-082381的日本专利申请的优先权,该申请的全部内容引入本申请中作为参考。
技术领域
本发明涉及一种用于荧光发光管(fluorescence emitting tube),例如荧光显示管的真空密封容器,更具体地,本发明涉及一种基板,例如构成该真空密封容器的阳极基板。
背景技术
图3A和3B显示了传统的荧光显示管的真空容器(参考日本专利申请,公开号为No.2003-68189)。图3A是该真空容器的透视截面图,图3B是该真空容器沿着图3A中所示的X1-X1线的截面图。该真空容器由阳极基板11,前基板12和侧板13组成。该阳极基板11配备了在其上形成的导电膜14。该导电膜14包括由形成荧光发光膜的薄膜制成的阳极电极和阳极导线等。该真空容器进一步包括阴极电极C,其可以是热电子发光丝(thermal electronemitting filament)。该阳极基板11、前基板12和侧板13由玻璃制成且使用熔结玻璃(frit-glass,未示出)整体地粘结在一起。通常地,用于荧光显示管的基板和侧板都是由钠钙玻璃制成。然而,使用钠钙玻璃去形成配备有导电薄膜14的阳极基板11可能会引起迁移的问题,其会导致在导电膜14的电极和导线之间短路。因而,为了避免该迁移问题,该阳极基板11通常由高应变点玻璃制成。
此外,当在玻璃板上形成导电薄膜的时候,使用薄的玻璃板以便减轻重量以利于玻璃板的处理是可取的。通常地,该玻璃板的厚度约为1.8mm。然而,具有厚度约为1.8mm的玻璃板的强度不够用作荧光显示管的真空容器。考虑到这个问题,公开号为No.H07-302559的日本专利申请建议提供与配备有导电薄膜的玻璃基板粘结在一起的增强玻璃板。图3C是配备有增强基板(reinforcing substrate)112的阳极基板11的传统真空容器的范例的截面图。更具体地,该阳极基板11由其上形成有导电膜14的基板111(以下称作导电膜形成基板)和与导电膜形成基板111粘结的增强基板112组成。将熔结玻璃113应用于导电膜形成基板111的反面(形成导电膜14的基板111的表面的对面)。阳极基板11中,导电膜形成基板111的反面全部用熔结玻璃113覆盖,如图3C所示,当该熔结玻璃113被加热和熔化的时候,在导电膜形成基板111和增强基板112之间的气泡不能被完全地去除或向外释放。另外,导电膜形成基板111和增强基板112之间的空隙不能变得均一,因为介于导电膜形成基板111和增强基板112之间的熔结玻璃不能以均一的厚度分散。
鉴于以上解释的涉及阳极基板11的问题,本申请的发明人已提出配备了应用于导电膜形成基板211上的条形熔结玻璃层FG的阳极基板21,如图4所示。图4A是具有阳极基板21的真空容器的截面图,图4B是沿着图4A所示的X2-X2线的真空容器的截面图,图4C示出了从图4A中箭头X3所示的方向观察到的图4A的真空容器,其中为了简化,没有标示增强基板212。图4C示出了导电膜形成基板211上产生的裂缝。
图4A中的真空容器由阳极基板21、前基板22和侧板23组成。该阳极基板21包括导电膜形成基板211、增强基板212和条形熔结玻璃层FG,FG由长方形的条形熔结玻璃层FG1到FG11组成。导电膜形成基板211和增强基板212通过条形熔结玻璃层FG1到FG11粘结在一起。该熔结玻璃层FG1到FG11长度相等且以预定的间隔排列。此外,该熔结玻璃层FG1到FG11排列成该熔结玻璃层的纵向两端各自到导电膜形成基板211的横向两端即如图4B所示导电膜形成基板211的上端和下端之间的距离相等。
图4A和4B中的真空容器通过在导电膜形成基板上形成条形熔结玻璃层能够解决图3A到3C中真空容器的问题。然而,图4A和4B中的真空容器仍存在着问题。更确切地说,对于图4A和4B中的真空容器,导电膜形成基板211是由具有高应变点的昂贵的玻璃板制成的,而为了减少真空容器的制作成本,增强基板212由便宜的钠钙玻璃板制成。结果,在真空容器密封过程中,当加热和冷却真空容器时,导电膜形成基板211产生裂缝,如图4C所示。在图4C中,该裂缝产生在导电膜形成基板211的四个位置211C上,对应于该熔结玻璃层FG1和FG11的纵向两端,即熔接最接近侧板23的该熔结玻璃层FG1到FG11的末端的最外侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于双叶电子工业株式会社,未经双叶电子工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110079426.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。