[发明专利]一种太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201110079703.4 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102185022A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 沈鸿烈;岳之浩;杨超;吴京波;李琼;李斌斌 | 申请（专利权）人： | 南京沙宁申光伏有限公司;南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 周静 |
| 地址： | 211300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制造方法，包括对硅片进行扩散制结、周边刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结，其特征在于，印刷电极之前对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀，去除背表面在扩散制结过程由于磷吸杂所形成的含非IIIA和/或VA族元素的杂质层。
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，印刷电极之前对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀，去除背表面300～400nm厚的、在扩散制结过程中形成的含非IIIA和/或VA族元素的杂质层，直至背表面全是p型硅。
3.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀的方法为离子束刻蚀、反应离子刻蚀或电化学腐蚀。
4.如权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述离子束刻蚀工艺参数中本底真空为10-5～10-2Pa，衬底温度为10～50℃，Ar流量控制在1～30sccm，刻蚀气压为10-3～10-1Pa，束流控制在5～30mA，刻蚀时间为2～120min。
5.如权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀工艺中选用SF6、O2和CHF3混合气体作为反应气体，SF6流量为10～50sccm，O2流量控制在2～20sccm，CHF3流量为2～25sccm，反应气压为2～15Pa，射频功率控制在20～200W，反应时间为1～10min。
6.如权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述电化学腐蚀法所用溶液为氢氟酸、硫酸、盐酸、硝酸或磷酸，氢氟酸浓度为0.5％～35％，电流密度为10～300mA/cm2，腐蚀温度控制在10～50℃，腐蚀时间为2～30min；硫酸浓度为1％～40％，电流密度为10～200mA/cm2，腐蚀温度控制在10～50℃，腐蚀时间为2～20min；盐酸浓度为2％～25％，电流密度为10～300mA/cm2，腐蚀温度控制在10～50℃，腐蚀时间为2～30min；硝酸浓度为2％～40％，电流密度为10～300mA/cm2，腐蚀温度控制在10～50℃，腐蚀时间为2～30min；磷酸浓度为5％～40％，电流密度为10～300mA/cm2，腐蚀温度控制在10～50℃，腐蚀时间为2～30min。
7.如权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在电化学腐蚀时，将硅片的正扩散面与阳极面接触，背面浸于腐蚀溶液中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
