[发明专利]固态图像传感器和成像系统有效
申请号: | 201110079810.7 | 申请日: | 2011-03-31 |
公开(公告)号: | CN102214668A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 泽山忠志 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 成像 系统 | ||
1.一种固态图像传感器,包括包含多个光电转换元件的半导体基板,该传感器包括:
第一绝缘膜,第一绝缘膜布置在半导体基板上,并且具有多个开口,所述多个开口中的每一个布置在所述多个光电转换元件中的一个光电转换元件上;
多个绝缘体部分,所述多个绝缘体部分具有高于第一绝缘膜的折射率的折射率,所述多个绝缘体部分中的每一个布置在所述多个开口中的一个开口中;
第二绝缘膜,第二绝缘膜布置在所述多个绝缘体部分的上表面和第一绝缘膜的上表面上;和
第三绝缘膜,第三绝缘膜具有低于第二绝缘膜的折射率的折射率,并且被布置为与第二绝缘膜的上表面接触,
其中令λ是进入所述多个绝缘体部分的光的波长,n是第二绝缘膜的折射率,并且t是在第一绝缘膜的上表面上的区域的至少一部分中的第二绝缘膜的厚度,则满足关系t<λ/n。
2.如权利要求1所述的传感器,其中第二绝缘膜的上表面是平滑连续的表面。
3.如权利要求1所述的传感器,其中令t1是在所述多个绝缘体部分的上表面上的区域的至少一部分中的第二绝缘膜的厚度,则进一步满足t1>λ/n。
4.如权利要求1所述的传感器,其中开口具有渐缩的形状,在所述渐缩的形状中面积随着远离光电转换元件而增加。
5.如权利要求1所述的传感器,其中第二绝缘膜和绝缘体部分由硅氮化物和硅氮氧化物之一形成。
6.如权利要求1所述的传感器,还包括第三绝缘膜上的滤色器。
7.如权利要求1所述的传感器,其中所述多个绝缘体部分的至少一部分和第二绝缘膜成一体。
8.一种成像系统,包括:
如权利要求1到7中任一个所限定的固态图像传感器;和
处理由固态图像传感器获得的信号的信号处理单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的