[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一材料衬底层；

形成在所述第一材料衬底层顶部的多孔结构层，所述多孔结构层为第二材料；和

形成在所述多孔结构层之上的第三材料半导体层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一材料衬底层包括Si衬底，所述第二材料包括低Ge组分SiGe，所述第三材料半导体层包括Ge或高Ge组分SiGe。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多孔结构层的表面在经过退火后形成平面。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

形成在所述多孔结构层和所述第三材料半导体层之间的Si薄层或低Ge组分SiGe薄层；

和/或，形成在所述第三材料半导体层之上的锶锗化物薄层、钡锗化物薄层、低Ge组分SiGe钝化薄层或Si薄层。

5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一材料衬底层；

在所述第一材料衬底层之上形成多孔结构层，其中，所述多孔结构层为第二材料；和

在所述多孔结构层之上形成第三材料半导体层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料衬底层包括Si衬底，所述第二材料包括低Ge组分SiGe，所述第三材料半导体层包括Ge或高Ge组分SiGe。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

对所述多孔结构层退火以在所述多孔结构层的表面形成平面。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述多孔结构层之上形成Si薄层或低Ge组分SiGe薄层；

和/或，采用锶Sr或钡Ba对所述第三材料半导体层的上表面进行处理以在所述第三材料半导体层之上形成锶锗化物薄层或钡锗化物薄层，或在所述第三材料半导体层之上形成低Ge组分SiGe钝化薄层或Si钝化薄层。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一材料衬底层；

形成在所述第一材料衬底层之上的多个间隔预定距离的隔离块，且所述多个隔离块之间形成有生长区；

形成在所述生长区之中的多孔结构层，所述多孔结构层为第二材料；和

形成在所述多孔结构层之上的第三材料半导体层。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一材料衬底层包括Si衬底，所述第二材料包括低Ge组分SiGe，所述第三材料半导体层包括Ge或高Ge组分SiGe。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述多孔结构层的表面在经过退火后形成平面。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

形成在所述多孔结构层和所述第三材料半导体层之间的Si薄层或低Ge组分SiGe薄层；

和/或，形成在所述第三材料半导体层之上的锶锗化物薄层、钡锗化物薄层、低Ge组分SiGe钝化薄层或Si钝化薄层。

13.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一材料衬底层；

在所述第一材料衬底层之上形成绝缘层；

刻蚀所述绝缘层以形成多个间隔预定距离的隔离块，其中，所述多个隔离块之间形成生长区；

在所述生长区之中淀积第二材料层；

对所述第二材料层进行阳极氧化以形成多孔结构层；和

在所述多孔结构层之上形成第三材料半导体层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料衬底层包括Si衬底，所述第二材料层包括低Ge组分SiGe，所述第三材料半导体层包括Ge或高Ge组分SiGe。

15.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

对所述多孔结构层退火以在所述多孔结构层的表面形成平面。

16.如权利要求18所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述多孔结构层之上形成Si薄层或低Ge组分SiGe薄层；

和/或，采用锶Sr或钡Ba对所述第三材料半导体层的上表面进行处理以在所述第三材料半导体层之上形成锶锗化物薄层或钡锗化物薄层，或在所述第三材料半导体层之上形成低Ge组分SiGe钝化薄层或Si钝化薄层。