[发明专利]电子装置壳体及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110080427.3 申请日: 2011-03-31
公开(公告)号: CN102729713A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 刘伟;张松;陈明明 申请(专利权)人: 深圳富泰宏精密工业有限公司
主分类号: B44C1/22 分类号: B44C1/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电子 装置 壳体 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子装置壳体,其包括基体,所述基体表面通过激光雕刻的方法形成有多个凹陷,所述多个凹陷组合形成图案,其特征在于:所述多个凹陷在基体表面的分布由疏至密渐变或由密至疏渐变,每一凹陷的孔径为0.02-0.04mm,每一凹陷的深度在0.05-0.1mm之间,相邻二凹陷之间的间距在0.2-2mm之间。

2.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述电子装置壳体还包括形成于基体上的保护层。

3.如权利要求2所述的电子装置壳体,其特征在于:所述保护层为透明的聚氨酯层。

4.如权利要求2所述的电子装置壳体,其特征在于:所述电子装置壳体还包括形成于基体与保护层之间的颜色层。

5.如权利要求4所述的电子装置壳体,其特征在于:该颜色层的色彩为浅色调或半透明。

6.如权利要求5所述的电子装置壳体,其特征在于:所述颜色层通过喷涂、油墨印刷及真空镀膜中的一种方式形成。

7.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述基体为金属基体。

8.一种电子装置壳体的制造方法,包括如下步骤:

提供金属基体;

通过激光雕刻的方法,于该基体表面形成多个凹陷,所述多个凹陷组合形成图案,所述多个凹陷在基体表面的分布由疏至密渐变或由密至疏渐变,每一凹陷的孔径为0.02-0.04mm,每一凹陷的深度在0.05-0.1mm之间,相邻二凹陷之间的间距在0.2-2mm之间。

9.如权利要求8所述的电子装置壳体的制造方法,其特征在于:激光雕刻形成所述多个凹陷的工艺参数为:激光雕刻频率为1000-30000Hz,激光雕刻功率为5-20W,激光扫描速度为200-500mm/s,扫描能量为0.2-2mJ,聚焦处激光光斑孔径为0.02-0.04mm。

10.如权利要求8所述的电子装置壳体的制造方法,其特征在于:该电子装置壳体的制造方法还包括激光雕刻后依次于基体表面形成颜色层及保护层的步骤。

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