[发明专利]存储器单端读出电路

权利要求书

1.一种具有单端读出电路的存储器，包括：

位线；

与位线连接的存储器单元；以及

预充电电路，用于对位线预充电至电源电压和地之间的预充电电压。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述预充电电路包括NMOS晶体管，其预充电电压等于所述电源电压减去所述NMOS晶体管的阈值电压。

3.根据权利要求2所述的存储器，其中，所述NMOS晶体管的漏极与所述电源电压连接，所述NMOS晶体管的源极与所述位线连接，所述NMOS晶体管的栅极与预充电信号连接；或者

所述预充电电路还包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极与所述电源电压连接，所述PMOS晶体管的漏极与位线条连接，所述PMOS晶体管的栅极与预充电信号路径连接。

4.根据权利要求1所述的存储器，还包括读出电路，其中，所述读出电路包括具有第一PMOS晶体管的NAND门以及电压控制电路，所述电压控制电路阻止所述第一PMOS晶体管在所述预充电电路对位线预充电时导通。

5.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述第一PMOS晶体管的源极具有与所述预充电电路对所述位线预充电时的预充电电压相等的电压；或者

所述电压控制电路包括由预充电信号控制的第二PMOS晶体管，并且所述电压控制电路还包括二极管连接晶体管。

6.根据权利要求1所述的存储器，还包括上拉电路，所述上拉电路包括两个交叉连接的PMOS晶体管，用于在进行读取“1”的操作期间将所述位线从所述预充电电压上拉至所述电源电压。

7.一种读取具有单端读出电路的存储器单元的方法，包括：

对与所述存储器单元连接的位线预充电至电源电压和地之间的预充电电压；以及

在进行读取“0”的操作期间，将所述位线选择性地从所述预充电电压下拉至地。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括在进行读取“1”的操作期间，选择性地将所述位线从所述预充电电压上拉至所述电源电压；或者

其中，对所述位线预充电包括预充电至所述电源电压减去预充电电路中的NMOS晶体管的阈值电压，并且还包括利用预充电信号控制所述NMOS晶体管；或者

所述方法还包括将与存储器单元连接的位线条预充电至所述电源电压。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：使用NAND门读出所述位线；以及

在预充电期间，阻止所述NAND门中的PMOS晶体管导通，

其中，阻止PMOS晶体管导通包括在预充电期间，将与所述预充电电压相同的电压提供给所述PMOS晶体管的源极。

10.一种具有单端读出电路的存储器，包括：

位线；

位线条；

与所述位线连接的存储器单元；

充电电路，包括NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，对所述位线预充电至等于电源电压减去NMOS晶体管的阈值电压的预充电电压，且对所述位线条预充电至所述电源电压；以及

读出电路，包括具有第二PMOS晶体管的NAND门以及电压控制电路，当预充电电路对位线预充电时，所述电压控制电路通过在所述预充电电路对所述位线预充电时向第二PMOS晶体管的源极提供与预充电电压相同的电压，来在所述预充电电路对所述位线预充电时阻止所述第二PMOS晶体管导通。