[发明专利]压电陶瓷材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110081046.7 申请日: 2011-03-30
公开(公告)号: CN102731091A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 董显林;黄祯;王根水;李玉臣 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 朱黎明
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种压电陶瓷材料及其制备方法。更具体地说,本发明涉及一种复合掺杂取代的Bi5Ti3FeO15类压电陶瓷材料,这种复合掺杂的Bi5Ti3FeO15类压电陶瓷材料不仅具有良好的压电性能,而且还具有优良的高温电阻率,尤其适合高温测量和探测领域。本发明还涉及所述复合掺杂取代的Bi5Ti3FeO15类压电陶瓷材料的制备方法。

背景技术

铋层状结构压电陶瓷是压电陶瓷的重要分支之一,具有高居里温度、低介电常数、低老化率、高介电击穿强度、谐振频率的时间和温度稳定性好、较高的机械品质因数和易烧结等特点,同时不含铅,在高温和高频领域有广阔的应用前景。

但是由于该类材料的晶体结构决定了其自发极化转向受二维限制,因此该类材料的压电活性低、剩余极化小。为了提高铋层状结构压电陶瓷的性能,更好的满足各种应用环境的要求,现有技术报道了多种方法对铋层状结构压电陶瓷进行改性。所述改性方法包括掺杂取代、晶粒定向和气氛处理等,取得了较好的结果。

例如,中国专利CN1068571C报道了利用(Na+,Ce3+)复合置换铋层状结构陶瓷CaBi4Ti4O15中的Ca2+,改善了陶瓷的压电性能和电阻率。但是这种制备方法需要在半密封的氧化铝坩埚中预合成中间产物,使原料CeO2中的Ce4+还原为Ce3+。需要注意的是,这种方法在实际生产中不易控制Ce离子的价态,且较一般的合成过程多了一道合成中间产物的工序。

Bi5Ti3FeO15作为铋层状结构压电陶瓷材料的一种,近年来对其研究主要集中在结构、磁性能和介电性能方面。例如,X.Y.Mao等人报道了Bi5Ti3FeO15的弱的磁性能(Solid State Communications,147(5-6),186-189,2008),随后他们通过用Co3+掺杂取代Fe3+明显的改善了其磁学性能(Applied Physics Letters,95(8),082901,2009)。

另一方面,现有技术还报道了通过不同的制备工艺,如化学溶液制粉(J.Phys.D:Appl.Phys.41,155418,2008)、晶粒的织构化技术(Integrated Ferroelectrics,71,233-239,2005)制备了Bi5Ti3FeO15,改善了其部分电学性能。

长期以来,人们更多的关注Bi5Ti3FeO15基陶瓷介电性能的变化和磁学性能的改善,但是忽略了Bi5Ti3FeO15基陶瓷压电性能的提高。此外,Bi5Ti3FeO15由于其特殊的组分构成(可能含有Fe2+和Fe3+共存),使得纯Bi5Ti3FeO15的电阻率尤其是高温下的电阻率较低。Bi5Ti3FeO15若要作为高温压电传感器件的基础和核心元件,它必须具备较高的高温电阻率。

因此,本领域仍需要开发一种Bi5Ti3FeO15类压电陶瓷材料,这种压电陶瓷材料不仅具有良好的压电性能,而且还具有优良的高温电阻率,从而适用于高温测量和探测。

本领域还需要开发一种所述Bi5Ti3FeO15类压电陶瓷材料的制造方法。

发明内容

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