[发明专利]阻变存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110081209.1 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102738386A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;张森;李颖涛;王艳;连文泰;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种阻变存储器，其特征在于，所述存储器包括：
下电极；
下电极之上的局部控制电极；
下电极和局部控制电极之上的存储介质层；
存储介质层之上的上电极。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述局部控制电极为圆锥形、柱形或针形。
3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述局部控制电极的厚度范围为1-100纳米。
4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述局部控制电极的底部直径的范围为5-20纳米。
5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述局部控制电极包括Ti、W、Cu、Ni或Ru。
6.一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成下电极；
在所述下电极上形成局部控制电极；
在所述下电极和局部控制电极上形成存储介质层；
在所述存储介质层上形成上电极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成局部控制电极的步骤包括：
在下电极上形成控制电极材料层；
在控制电极材料层上形成掩膜图案层；
湿法腐蚀控制电极材料层以形成局部控制电极；
去除掩膜图案层。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述局部控制电极的厚度范围为1-100纳米。
9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述局部控制电极为圆锥形、柱形或针形。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述局部控制电极的底部直径的范围为5-20纳米。
11.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述局部控制电极包括Ti、W、Cu、Ni或Ru。
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