[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有位于核心区域的第一栅极结构和位于周边区域的第二栅极结构；

b）在所述核心区域上形成第一光刻胶层，以覆盖位于所述核心区域的所述半导体衬底和所述第一栅极结构；

c）在所述周边区域执行晕环离子注入和浅掺杂漏离子注入，以在所述第二栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成第二晕环离子注入区和第二浅掺杂区；

d）去除所述第一光刻胶层；

e）执行预非晶化离子注入，以在未被所述第一栅极结构和所述第二栅极结构覆盖的所述半导体衬底中形成非晶层；

f）在所述周边区域上形成第二光刻胶层，以覆盖位于所述周边区域的所述半导体衬底和所述第二栅极结构；

g）在所述核心区域执行晕环离子注入和浅掺杂漏离子注入，以在所述第一栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成第一晕环离子注入区和第一浅掺杂区。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步骤包括以下两种执行方式：先执行晕环离子注入以在所述第二栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成所述第二晕环离子注入区，然后执行浅掺杂漏离子注入以在所述第二栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成所述第二浅掺杂区；或者先执行浅掺杂漏离子注入以在所述第二栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成所述第二浅掺杂区，然后执行晕环离子注入以在所述第二栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成所述第二晕环离子注入区。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二栅极结构为NMOS器件的栅极结构和/或PMOS器件的栅极结构。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二栅极结构为NMOS器件的栅极结构，所述第二浅掺杂区中掺杂的离子为磷离子和/或砷离子。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述磷离子的注入剂量为1×10¹³-1×10¹⁵cm^-2，所述磷离子的注入能量为5-40keV。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述砷离子的注入剂量为1×10¹³-1×10¹⁵cm^-2，所述砷离子的注入能量为1-10keV。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二栅极结构为NMOS器件的栅极结构，所述晕环离子注入区中掺杂的离子为硼离子和/或铟离子。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述硼离子的注入剂量为1×10¹³-1×10¹⁴cm^-2，所述硼离子的注入能量为4-12keV。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述铟离子的注入剂量为1×10¹²-1×10¹⁴cm^-2，所述铟离子的注入能量为20-80keV。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述预非晶化离子注入过程中，注入的离子为锗离子。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述锗离子的注入剂量为1×10¹³-1×10¹⁵cm^-2，所述锗离子的注入能量为5-30keV。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述g）步骤包括以下两种执行方式：先执行晕环离子注入以在所述第一栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成所述第一晕环离子注入区，然后执行浅掺杂漏离子注入以在所述第一栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成所述第一浅掺杂区；或者先执行浅掺杂漏离子注入以在所述第一栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成所述第一浅掺杂区，然后执行晕环离子注入以在所述第一栅极结构的两侧的所述半导体衬底中形成所述第一晕环离子注入区。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极结构为NMOS器件的栅极结构和/或PMOS器件的栅极结构。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极结构为NMOS器件的栅极结构，所述第一浅掺杂区中掺杂的离子为磷离子和/或砷离子。