[发明专利]有机发光显示设备有效
申请号: | 201110082986.8 | 申请日: | 2011-03-31 |
公开(公告)号: | CN102208433A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 朴镇佑;郑明钟;姜泰旻;徐旼彻;表相佑;金范俊;金孝妍 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;王青芝 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 | ||
1.一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:
第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个子像素显示不同的颜色;
基底;
第一电极,设置在基底上;
第二电极,设置在第一电极上,面向第一电极;
有机发射层,设置在第一电极和第二电极之间,有机发射层包括第一有机发射层、第二有机发射层和第三有机发射层;
电子受体层,设置在第一电极和第二电极之间,被构造为接触有机发射层,
其中,第一有机发射层设置在第一子像素中,第二有机发射层设置在第二子像素中,第三有机发射层被共同地设置为遍布第一子像素、第二子像素和第三子像素;
其中,电子受体层在第一子像素中设置在第一有机发射层和第三有机发射层之间,并且在第二子像素中设置在第二有机发射层和第三有机发射层之间。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,第一有机发射层发射红色可见光,第二有机发射层发射绿色可见光,第三有机发射层发射蓝色可见光。
3.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,电子受体层包括六氮杂三苯撑六甲腈、MoO3和富勒烯中的一种。
4.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,第三有机发射层设置在第一电极和第一有机发射层之间,并且还设置在第一电极和第二有机发射层之间。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备还包括缓冲层,缓冲层在电子受体层和第一有机发射层之间及在电子受体层和第二有机发射层之间。
6.如权利要求5所述的有机发光显示设备,其中,缓冲层包括空穴注入材料和空穴传输材料中的一种。
7.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,空穴传输层和空穴注入层设置在基底和第三有机发射层之间。
8.如权利要求7所述的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备还包括中间层,中间层在空穴注入层和空穴传输层之间。
9.如权利要求8所述的有机发光显示设备,其中,中间层包括六氮杂三苯撑六甲腈、MoO3和富勒烯中的一种。
10.一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:
第一子像素、第二子像素和第三子像素,其中,所述第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个子像素发射不同颜色的光;
第一电极;
第二电极,设置在第一电极上,面向第一电极;
有机发射层,设置在第一电极和第二电极之间,有机发射层包括第一有机发射子层、第二有机发射子层和第三有机发射子层;
电子受体层,设置在第一电极和第二电极之间,被构造为接触有机发射层,
其中,第一有机发射子层设置在第一子像素中,第二有机发射子层设置在第二子像素中,第三有机发射子层被共同地设置为遍布第一子像素、第二子像素和第三子像素,
其中,电子受体层在第一子像素中设置在第一有机发射子层和第三有机发射子层之间,并且在第二子像素中设置在第二有机发射子层和第三有机发射子层之间;
缓冲层,在电子受体层和第一有机发射子层之间及在电子受体层和第二有机发射子层之间。
11.如权利要求10所述的有机发光显示设备,其中,第一有机发射子层发射红色可见光、第二有机发射子层发射绿色可见光,第三有机发射子层发射蓝色可见光。
12.如权利要求10所述的有机发光显示设备,其中,电子受体层包括六氮杂三苯撑六甲腈、MoO3和富勒烯中的一种。
13.如权利要求10所述的有机发光显示设备,其中,第三有机发射子层设置在第一电极和第一有机发射子层之间,并且还设置在第一电极和第二有机发射子层之间。
14.如权利要求10所述的有机发光显示设备,其中,缓冲层包括空穴注入材料和空穴传输材料中的一种。
15.如权利要求10所述的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备还包括空穴注入层和空穴传输层。
16.如权利要求15所述的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备还包括中间层,中间层在空穴注入层和空穴传输层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的