[发明专利]一种硅烷化处理的脱一氧化碳催化剂、制法及应用

权利要求书

1.一种硅烷化处理的脱一氧化碳催化剂，其特征在于：

所述脱一氧化碳催化剂中硅烷基团的含量为催化剂总重的0.05wt％-15wt％；

所述脱一氧化碳催化剂为氧化铜系催化剂。

2.如权利要求1所述的硅烷化处理的脱一氧化碳催化剂，其特征在于：

所述硅烷基团的含量为催化剂总重的0.1wt％-10wt％。

3.如权利要求1或2所述的脱一氧化碳催化剂，其特征在于：

所述硅烷基团是甲硅烷基剂通过甲硅烷基化法嫁接入氧化铜系催化剂。

4.一种制备如权利要求1～3之一所述的脱一氧化碳催化剂的方法，包括：

所述硅烷基团是甲硅烷基剂通过甲硅烷基化法嫁接入氧化铜系催化剂。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：

所述甲硅烷基剂是有机硅烷和有机硅氧烷中的至少一种。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：

所述嫁接在液相溶剂中进行，溶剂是酮、醚、烃和酯中的一种；

嫁接温度为30℃-180℃。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：

所述嫁接甲硅烷基剂在载气的携带下或将甲硅烷基剂加热为蒸汽后与催化剂进行反应；

所述载气为氮气、空气、氢气、氧气、二氧化碳、氩气中的至少一种；

嫁接温度为60℃-280℃。

8.如权利要求1～3之一所述的脱一氧化碳催化剂在脱除一氧化碳中的应用。