[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201110083176.4 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102214640A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 詹归娣;李东兴;奥古斯托马奎斯;李文昶 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
衬底；
电感布线样式，位于该衬底上方，其中该电感布线样式形成于电感形成区域；
多个屏蔽样式，位于该电感布线样式与该衬底之间且位于该电感形成区域内；以及
至少一个第一定义氧化物样式，位于该衬底内或者位于该电感布线样式与该衬底之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置更包括位于该电感布线样式之下的浅沟槽隔离样式。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该浅沟槽隔离样式环绕该定义氧化物样式。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该多个屏蔽样式位于该浅沟槽隔离样式上或该浅沟槽隔离样式上方。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该多个屏蔽样式不与该定义氧化物样式重叠。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该定义氧化物样式中不掺入杂质。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该定义氧化物样式中掺入N型杂质或P型杂质。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该定义氧化物样式上不形成硅化物。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该衬底与该电感布线样式之间具有介电层。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该定义氧化物样式位于该衬底内或该电感布线样式与该衬底之间且位于该电感形成区域之内，以及其中外围区域接近于该电感形成区域。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，从该电感形成区域的边沿起算，该外围区域的宽度范围在0到50微米之间。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置更包括至少一个第二定义氧化物样式，位于该衬底内或该电感布线样式与该衬底之间且位于该外围区域之内。
13.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，在距离该外围区域小于20微米处形成多个有源装置。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该多个屏蔽样式是作为样式接地屏蔽。
15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该多个屏蔽样式是多个导体屏蔽样式。
16.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该多个屏蔽样式是多个多晶硅屏蔽样式或多个金属屏蔽样式。
17.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一定义氧化物样式接近于有源装置，该有源装置位于该半导体装置附近。
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，该多个屏蔽样式与该有源装置的栅极由相同的层级构成。
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