[发明专利]氮化物半导体发光二极管元件有效
| 申请号： | 201110083184.9 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102544290A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 江仁豪;胡智威 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光二极管 元件 | ||
1.一种氮化物半导体发光二极管元件，包括：
N型掺杂氮化物半导体层；
有源层，位于该N型掺杂氮化物半导体层上，其包括至少一量子井结构，其中该量子井结构包括两个量子阻障层以及夹于该些量子阻障层之间的量子井，至少一个量子阻障层包括四元氮化物半导体的超晶格结构，该超晶格结构由周期层迭的AlaInbGa1-a-bN层与IneGa1-eN层所组成，而0.01≤a≤0.5，且a+b＜1；以及
P型掺杂氮化物半导体层，位于该有源层上。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中0.015≤b≤0.15。
3.如权利要求2所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中0.05≤e≤0.07。
4.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中该超晶格结构的该周期层迭的数量为大于或等于2。
5.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中该有源层的厚度为3nm至500nm。
6.如权利要求1所述的氮化物半导体发光二极管元件，进一步包括位于该N型掺杂氮化物半导体层及该有源层之间的应力舒缓层，其中该应力舒缓层的材料包括由InmGa1-mN层与GaN层组成的迭层结构，其中m为0.01至0.3。
7.一种氮化物半导体发光二极管元件，包括：
N型掺杂氮化物半导体层；
有源层，位于该N型掺杂氮化物半导体层上，其包括至少一量子井结构，其中该量子井结构包括两个量子阻障层以及夹于该些量子阻障层之间的量子井，至少一个量子阻障层包括四元氮化物半导体的超晶格结构，该超晶格结构由周期层迭的AlaInbGa1-a-bN层与IneGa1-eN层所组成，而0.03≤a≤0.15，且a+b＜1；以及
P型掺杂氮化物半导体层，位于该有源层上。
8.如权利要求7所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中0.015≤b≤0.15。
9.如权利要求8所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中0.05≤e≤0.07。
10.如权利要求7所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中该超晶格结构的该周期层迭的数量为大于或等于2。
11.如权利要求7所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中该有源层的厚度为3nm至500nm。
12.一种氮化物半导体发光二极管元件，包括：
N型掺杂氮化物半导体层；
有源层，位于该N型掺杂氮化物半导体层上，其包括至少一量子井结构，其中该量子井结构包括两个量子阻障层以及夹于该些量子阻障层之间的量子井，至少一个量子阻障层包括四元氮化物半导体的超晶格结构，该超晶格结构由周期层迭的AlaInbGa1-a-bN层与IneGa1-eN层所组成，而0.08≤a≤0.095，且a+b＜1；以及
P型掺杂氮化物半导体层，位于该有源层上。
13.如权利要求12所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中0.015≤b≤0.15。
14.如权利要求13所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中0.05≤e≤0.07。
15.如权利要求12所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中该超晶格结构的该周期层迭的数量为大于或等于2。
16.如权利要求12所述的氮化物半导体发光二极管元件，其中该有源层的厚度为3nm至500nm。
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