[发明专利]沟槽型碳化硅肖特基功率器件无效
| 申请号： | 201110083281.8 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102184971A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 周炳 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 碳化硅 肖特基 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.沟槽型碳化硅肖特基功率器件，由上金属电极、N型碳化硅层和下金属电极组成，在上金属电极与N型碳化硅层之间具有二氧化硅绝缘层，其特征为在N型碳化硅层上开有多个沟槽，上金属电极随着沟槽延伸到沟槽中，在沟槽中上金属电极和N型碳化硅之间也具有二氧化硅绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张家港意发功率半导体有限公司，未经张家港意发功率半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110083281.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
