[发明专利]碱氧一浴pH缓冲剂及其应用有效
申请号: | 201110083504.0 | 申请日: | 2011-04-02 |
公开(公告)号: | CN102182070A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 肖君明;刘建平 | 申请(专利权)人: | 绍兴县友邦助剂有限公司 |
主分类号: | D06M15/643 | 分类号: | D06M15/643;D06M11/76;D06M11/72;D06M13/432 |
代理公司: | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人: | 张谦 |
地址: | 312030 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碱氧一浴 ph 缓冲剂 及其 应用 | ||
技术领域
本发明涉及一种碱氧一浴pH缓冲剂及其应用,属于纺织品染色前处理工艺中的助剂领域。
背景技术
纺织品的染整工序,在染色步骤前,要对纺织品进行前处理,以去除前道工序加工时产生或加入的组分,如浆料、蜡等,这些组分会严重影响后序的染色加工,因此要进行前处理。目前,常规的前处理工艺流程包括如下步骤:原布准备→烧毛→退浆→水洗→煮练→水洗→漂白→水洗→烘干。该前处理工艺流程长、能耗大、污水多。因此,染整业开始注重短流程前处理工艺的研究,退煮漂一浴法就此诞生。退煮漂一浴法的关键技术在于一浴精练剂的使用。一浴精练剂主要由氧漂稳定剂、pH缓冲剂等组分配制而成。在实际的应用中,配合使用一浴精练剂的退煮漂一浴法,其处理时间及能耗还有待进一步的改善。
发明内容
本发明提供一种碱氧一浴pH缓冲剂及其应用,用该碱氧一浴pH缓冲剂配制出来的一浴精练剂,进一步缩短了退煮漂工序的处理时间,并进一步降低了用水、用电量,且经过处理的半制品品质优异。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案为:
一种碱氧一浴pH缓冲剂,由如下重量百分比的组分配制而成:20~30%的纯碱、50~60%的可溶性聚硅脂粉末、10~30%的多聚磷酸钠。
作为上述方案的进一步设置,所述纯碱为30%,可溶性聚硅脂粉末为50%,多聚磷酸钠为20%。
纯碱和多聚磷酸钠均采用上海锐谷生物科技有限公司生产的产品,可溶性聚硅脂粉末采用SOLVAY CHEMICALS INTERNATIONAL S.A. RUE DU PRINCE ALBERT 44B-1050 BRUSSELS(索尔维公司)生产的产品。
碱氧一浴pH缓冲剂的应用,可用于配制一浴精练剂,该一浴精练剂由如下重量百分比的组分配制而成:
50~60%的碱氧一浴pH缓冲剂、20~40%的氧漂稳定剂、5~10%的四乙酰乙二胺、5~10%的尿素。
作为上述方案的进一步设置,所述碱氧一浴pH缓冲剂为60%、氧漂稳定剂为20%、四乙酰乙二胺为10%、尿素为10%。氧漂稳定剂采用广州庄杰化工有限公司生产的产品。四乙酰乙二胺采用浙江时代金科过氧化物有限公司生产的产品。尿素采用黄骅市力德化工有限公司生产的产品。
本发明碱氧一浴pH缓冲剂,催化双氧水分解,但又有优化表面活性剂退浆的良好效果。因此,用本发明碱氧一浴pH缓冲剂配制出来的一浴精练剂,进一步缩短了退煮漂工序的处理时间,并进一步降低了用水、用电量,且经过处理的半制品品质优异。
具体实施方式
实施例1
本发明碱氧一浴pH缓冲剂,由如下重量百分比的组分配制而成:30%的纯碱、50%的可溶性聚硅脂粉末、20%的多聚磷酸钠。
本发明碱氧一浴pH缓冲剂的应用,可用于配制一浴精练剂,该一浴精练剂由如下重量百分比的组分配制而成:
60%的碱氧一浴pH缓冲剂、20%的氧漂稳定剂、10%的四乙酰乙二胺、10%的尿素。
实施例2
本发明碱氧一浴pH缓冲剂,由如下重量百分比的组分配制而成:20%的纯碱、50%的可溶性聚硅脂粉末、30%的多聚磷酸钠。
本发明碱氧一浴pH缓冲剂的应用,可用于配制一浴精练剂,该一浴精练剂由如下重量百分比的组分配制而成:
50%的碱氧一浴pH缓冲剂、40%的氧漂稳定剂、5%的四乙酰乙二胺、5%的尿素。
实施例3
本发明碱氧一浴pH缓冲剂,由如下重量百分比的组分配制而成:25%的纯碱、55%的可溶性聚硅脂粉末、20%的多聚磷酸钠。
本发明碱氧一浴pH缓冲剂的应用,可用于配制一浴精练剂,该一浴精练剂由如下重量百分比的组分配制而成:
55%的碱氧一浴pH缓冲剂、35%的氧漂稳定剂、5%的四乙酰乙二胺、5%的尿素。
实施例4
本发明碱氧一浴pH缓冲剂,由如下重量百分比的组分配制而成:30%的纯碱、60%的可溶性聚硅脂粉末、10%的多聚磷酸钠。
本发明碱氧一浴pH缓冲剂的应用,可用于配制一浴精练剂,该一浴精练剂由如下重量百分比的组分配制而成:
50%的碱氧一浴pH缓冲剂、35%的氧漂稳定剂、10%的四乙酰乙二胺、5%的尿素。
上述实施例仅用于解释说明本发明的发明构思,而非对本发明权利保护的限定,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应落入本发明的保护范围。
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