[发明专利]陶瓷基片表面镀膜工艺

权利要求书

1.一种陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于，其包括如下步骤：

1)清洗陶瓷基片；

2)在清洗后的陶瓷基片上均匀涂布光刻胶；

3)根据导电电路要求制作掩膜板，掩膜板上需遮蔽的部分为导电电路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分为导电电路需要保留的部分；

4)采用掩膜板对涂有光刻胶的陶瓷基片进行曝光；

5)对曝光后的陶瓷基片进行显影处理；

6)清洗显影后的陶瓷基片；

7)在清洗后的陶瓷基片表面镀金属层；

8)将镀金属层的陶瓷基片使用丙酮溶液进行清洗。

2.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤1)中采用超声波清洗方法清洗陶瓷基片。

3.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤2)首先将光刻胶滴在陶瓷基片上，然后使陶瓷基片高速旋转从而使光刻胶均匀的涂布在陶瓷基片上。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤6)中采用等离子清洗方法清洗陶瓷基片。

5.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤7)中在陶瓷基片表面镀的金属层为黄金层、铂金层或钛金属层。

6.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤7)中在陶瓷基片表面镀的金属层可以为一层或多层。

7.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤7)中采用溅射方法在陶瓷基片表面上镀金属层。

8.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤8)中采用超声波清洗方法清洗陶瓷基片。