[发明专利]Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201110084321.0 | 申请日: | 2011-04-06 |
公开(公告)号: | CN102169944A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 张建华;王万晶;李喜峰 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L33/42 | 分类号: | H01L33/42;H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | ag ito 氧化锌 复合 透明 电极 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管,包括:蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)、Ag/ITO/氧化锌基透明电流扩展层(7)、n型金属电极(8)连接n型氮化镓(4)、p型金属电极(9)连接Ag/ITO/氧化锌基透明电流扩展层(7),其中缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)是在MOCVD中依次生长完毕;其特征在于所述的Ag/ITO/氧化锌基透明电流扩展层(7)的制备方法是依次是利用电子束蒸镀或者真空蒸镀的的方法将几纳米厚的Ag薄膜蒸镀在p型氮化镓表面,再利用电子束蒸镀的方法在Ag纳米层上蒸镀ITO透明薄膜;最后利用磁控溅射的方法将氧化锌透明薄膜溅射在ITO薄膜表面,形成Ag/ITO/氧化锌复合透明电极,其中ITO薄膜的材质是是Sn2O3:In2O3=1:9的铟锡氧化物,氧化锌基透明导电薄膜的材质是ZnO:Ga或ZnO:Al或ZnO:In;所述的n型金属电极(8)是金属复合电极,材质是Ti/Al或Cr/Pt/Au;所属的p型金属电极(9)是金属复合电极,材质是Ni/Au或Cr/Pt/Au。
2.根据权利要求1所述的Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管,其特征在于所述的p型金属电极的形状为工字型。
3.一种用于权利要求1所述的Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管的制备方法,其特征在于其工艺步骤如下:
a.用MOCVD的方法在衬底上依次缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6);
b.对外延片进行镁激活退火处理;
c.使用化学试剂对外延片进行表面处理,其化学试剂是KOH或者HCl或者王水;
d.通过真空蒸镀、电子束蒸发和磁控溅射分别沉积Ag纳米层、ITO透明导电薄膜和氧化锌透明导电薄膜,形成Ag/ITO/氧化锌基透明电流扩展层(7);
e.用湿法腐蚀的方法刻蚀出所设计的Ag/ITO/氧化锌基透明电流扩展层(7)图形;
f.通过离子刻蚀或ICP干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来,对外延片进行退火处理;
g.通过热蒸发或电子束蒸发的方法沉积n型金属电极(8)和p型金属电极(9);
h.再次退火处理,进行金属电极的合金化;
i.分割外延片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110084321.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。