[发明专利]无电镀形成的半导体装置的接触组件及用减少的剪力移除过多的材料

权利要求书

1.一种在半导体装置中形成接触组件的方法，所述方法包括：

进行选择性沉积工艺，在接触阶层的介电材料的接触开口中形成金属，所述接触开口连接至电路组件的接触区域，所述电路组件至少部分形成在所述半导体装置的半导体层中；

从所述金属形成接触组件，所述接触组件被侧向包埋；以及

在所述侧向包埋的接触组件基础上进行平面化工艺，提供所述接触阶层的实质平坦表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述接触组件包括填充所述接触开口至一高度阶层，低于所述接触阶层的所述介电材料的表面的高度接层。

3.如权利要求2所述的方法，其中进行所述平面化工艺包括进行化学机械抛光工艺，移除所述介电材料的一部分。

4.如权利要求2所述的方法，更包括在形成所述金属之后以及进行所述平面化工艺之前，在所述介电材料上方形成牺牲填充材料。

5.如权利要求4所述的方法，其中进行所述平面化工艺包括进行蚀刻工艺与抛光工艺至少其中一种。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述接触组件包括过度填充所述接触开口，以及形成至少侧向相邻所述接触组件的牺牲材料。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述牺牲材料是平面化材料形式，以及其中进行所述平面化工艺包括在所述平面化材料存在时，进行蚀刻工艺与抛光工艺至少其中一种。

8.如权利要求6所述的方法，其中形成所述牺牲材料包括提供连续传导材料层，以及其中进行所述平面化工艺包括使用所述连续传导材料层作为电流分布层，进行电化学蚀刻工艺。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成所述牺牲材料更包括形成平面化层。

10.如权利要求1所述的方法，其中进行所述选择性沉积工艺包括进行无电镀工艺以及使用所述接触区域作为催化材料。

11.一种方法，包括：

在半导体装置的接触阶层的介电材料中，形成接触开口；

在所述接触开口内选择性形成传导材料，而不过度填充所述接触开口；以及

移除所述介电材料的一部分，用来提供所述接触阶层的平坦表面。

12.如权利要求11所述的方法，其中进行无电镀工艺，在所述接触开口中，选择性形成所述传导材料。

13.如权利要求11所述的方法，其中移除所述介电材料的一部份包括进行抛光工艺。

14.如权利要求13所述的方法，其中进行所述无电路工艺包括直接沉积金属在半导体区域中形成的接触区域上。

15.如权利要求11所述的方法，更包括在移除所述介电材料的一部份之前，在所述传导材料上方，形成牺牲平面化材料。

16.如权利要求15所述的方法，其中移除所述介电材料的一部份包括在所述牺牲平面化材料存在时，进行蚀刻工艺与抛光工艺至少其中一种。

17.一种方法，包括：

在半导体装置的接触阶层的介电材料中，形成接触开口，所述接触开口延伸至电路组件的接触区域；

进行选择性沉积工艺，用传导材料填充所述接触开口；

在所述介电材料与所述传导材料上方，形成牺牲材料层；以及

进行蚀刻工艺，平面化所述接触阶层的表面，在所述牺牲材料层存在中开始所述蚀刻工艺。

18.如权利要求17所述的方法，其中形成所述牺牲材料层包括在所述介电材料与所述传导材料上方，形成连续传导层。

19.如权利要求18所述的方法，其中进行蚀刻工艺包括进行电化学蚀刻工艺。

20.如权利要求19所述的方法，其中形成所述牺牲材料层包括在所述介电材料上方，形成含金属层，以及在所述含金属层上方，形成平面化材料。