[发明专利]光刻设备

权利要求书

1.一种光刻设备，包括：

湿度测量系统，所述湿度测量系统包括：

可调谐激光二极管，配置以发射测量辐射束，所述测量辐射束具有在一波长范围内的波长，所述波长范围包括与水分子的吸收峰相关的第一波长；和

连接至辐射探测器的信号处理单元，所述辐射探测器被配置以测量经受吸收的所述可调谐激光二极管的测量辐射束的强度，并且所述信号处理单元被连接至所述可调谐激光二极管，用于获得波长信息，

其中，所述信号处理单元被布置以探测作为所述波长的函数的在测量强度中的极限值和由所述探测的极限值计算湿度值；和一个或多个浸没系统部件，其中所述湿度测量系统配置成测量从所述一个或多个浸没系统部件中抽取的空气的湿度，用于确定所述一个或多个浸没系统部件上的热负载。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一波长是1877nm。

3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中，所述波长范围是1877nm+/-1.5nm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的光刻设备，其中，在第二波长处的测量强度用于确定在所述第一波长处的参考值。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的光刻设备，还包括分束器，所述分束器被配置以接收来自所述可调谐激光二极管的所述测量辐射束和将参考束引导至另一辐射探测器，所述另一辐射探测器连接至所述信号处理单元和配置以提供参考强度信号。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的光刻设备，其中，所述信号处理系统进一步被布置以基于湿度模型确定湿度值，所述湿度模型接收所述测量强度值和在所述测量辐射束中的温度和压力。

7.一种光刻设备，被布置以从图案形成装置将图案转移至衬底上，所述光刻设备包括根据权利要求1-6中任一项所述的光刻设备。

8.一种光刻设备，包括：

投影系统，构造和布置以将图案化的辐射束投影到衬底上；

浸没系统，所述浸没系统具有一个或多个系统部件，所述浸没系统位于所述投影系统和所述衬底支撑件和/或所述衬底之间；和

湿度测量系统，构造和布置以测量从所述浸没系统的一个或多个系统部件抽取的空气中的湿度和确定在所述一个或多个系统部件上的热负载，所述湿度测量系统包括：

可调谐激光二极管，配置以发射测量辐射束，所述测量辐射束具有在一波长范围内的波长，所述波长范围包括与水分子的吸收峰相关的第一波长；和

连接至辐射探测器的信号处理单元，所述辐射探测器被配置以测量经受吸收的所述可调谐激光二极管的测量辐射束的强度，且所述信号处理单元连接至所述可调谐激光二极管，用于获得波长信息，其中，所述信号处理单元被布置以探测作为所述波长的函数的在测量强度中的极限值和由所探测的极限值计算湿度值。

9.根据权利要求8所述的光刻设备，还包括：

支撑件，构造和布置以支撑图案形成装置，所述图案形成装置被配置以图案化辐射束。

10.根据权利要求9所述的光刻设备，还包括：

衬底支撑件，构造和布置以支撑所述衬底。