[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1. 一种半导体装置，其特征在于，具备：

副固定件；以及

半导体激光器，利用焊料以结向下方式安装在所述副固定件上，

所述半导体激光器具有：半导体衬底；半导体层叠结构，形成在所述半导体衬底上并且含有pn结；电极，形成在所述半导体层叠结构上，

所述电极隔着所述焊料接合在所述副固定件上，

在所述副固定件和所述半导体层叠结构之间，以包围所述电极的周围的方式配置有高熔点金属膜或者高熔点电介质膜。

2. 如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体层叠结构上，以包围所述电极的周围的方式形成有槽，

所述高熔点金属膜或者所述高熔点电介质膜覆盖所述槽的内部，

所述高熔点金属膜不与所述半导体层叠结构进行欧姆接合。

3. 一种半导体装置，其特征在于，具备：

副固定件；以及

半导体激光器，隔着焊料以结向下方式安装在所述副固定件上，

所述半导体激光器具有：半导体衬底；半导体层叠结构，形成在所述半导体衬底上并且含有pn结；电极，形成在所述半导体层叠结构上，

所述电极隔着所述焊料接合在所述副固定件上，

在所述副固定件和所述半导体层叠结构之间，以包围所述电极的周围的方式配置有金属焊盘，

所述电极的构成材料扩散到所述焊料中，形成第一合金层，

所述金属焊盘的构成材料扩散到所述第一合金层中，形成第二合金层，

所述第二合金层的熔点比所述焊料的熔点高。

4. 一种半导体装置，其特征在于，具备：

副固定件；以及

半导体激光器，隔着焊料以结向下方式安装在所述副固定件上，

所述半导体激光器具有：半导体衬底；半导体层叠结构，形成在所述半导体衬底上并且含有pn结；电极，形成在所述半导体层叠结构上，

所述电极隔着所述焊料接合在所述副固定件上，

在所述副固定件和所述电极之间，在所述电极的外周配置有金属膜，

所述电极的构成材料扩散到所述焊料中，形成第一合金层，

所述金属膜的构成材料扩散到所述第一合金层中，形成第二合金层，

所述第二合金层的熔点比所述焊料的熔点高。

5. 一种半导体装置，其特征在于，具备：

副固定件；以及

半导体激光器，隔着焊料以结向下方式安装在所述副固定件上，

所述半导体激光器具有：半导体衬底；半导体层叠结构，形成在所述半导体衬底上并且含有pn结；电极，形成在所述半导体层叠结构上，

所述电极隔着所述焊料接合在所述副固定件上，

在所述副固定件上以包围所述电极的周围的方式形成有槽，

在所述槽内形成有金属层，

所述金属层的构成材料向流入到所述槽内的所述焊料中扩散，形成金属间化合物，

所述金属间化合物的熔点比所述焊料的熔点高。

6. 一种半导体装置，其特征在于，具备：

副固定件；以及

半导体激光器，隔着焊料以结向下方式安装在所述副固定件上，

所述半导体激光器具有：半导体衬底；半导体层叠结构，形成在所述半导体衬底上并且含有pn结；电极，形成在所述半导体层叠结构上，

所述电极隔着所述焊料接合在所述副固定件上，

在所述副固定件上，以包围所述电极的周围的方式形成有使所述焊料的流动性提高的诱导材料。

7. 如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述诱导材料是与所述焊料相同的物质、所述焊料的构成物质、焊料焊药、或者当与所述焊料进行合金化时熔点下降的金属材料。

8. 如权利要求6或权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

在所述副固定件上以包围所述电极的周围的方式形成有槽，

在所述槽的内侧的侧面形成有所述诱导材料。