[发明专利]具有预图案化表面特征和平坦化表面的磁记录盘无效
申请号: | 201110085502.5 | 申请日: | 2011-04-02 |
公开(公告)号: | CN102214466A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 查尔斯.M.马特;弗兰克.D.罗斯;库尔特.A.鲁宾;史蒂文.G.施密德;塔沙.K.萨瑟 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
主分类号: | G11B5/82 | 分类号: | G11B5/82;G11B5/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 图案 表面 特征 平坦 记录 | ||
1.一种磁记录盘,包括:
衬底,具有基本平坦的表面;
在该衬底上由磁记录材料形成的多个高企的槽脊,该槽脊具有在该衬底的表面之上的上表面;
在该槽脊之间的该衬底上的多个凹陷部,该凹陷部具有比该槽脊的该上表面低的下表面,该凹陷部容纳非磁填充材料,该非磁填充材料具有上表面;以及
第一外涂层,在该槽脊的该上表面上,该第一外涂层的上表面和该凹陷部中的该非磁填充材料的上表面基本共面;以及
润滑剂层,在该第一外涂层和该凹陷部中的该非磁填充材料的上表面上。
2.如权利要求1所述的盘,其中该第一外涂层也形成在该凹陷部的下表面上并在该非磁填充材料之下。
3.如权利要求1所述的盘,其中该填充材料选自以下材料构成的组:硅氧化物;SiOx-金属,其中金属选自Ti、Ta、Al、Cr和Pt;硅氮化物;SiN-金属,其中金属选自Ti、Ta、Al、Cr和Pt;Ti合金;以及选自W、Ti、Ta和Cu的金属。
4.如权利要求1所述的盘,其中该第一外涂层由选自以下材料构成的组的材料形成:非晶碳;硅碳化物;硼碳化物;硅氮化物;钛氮化物;硼氮化物;以及选自TiO2、ZrO2、Al2O3、Cr2O3、Ta2O5和ZrO2-Y2O3的金属氧化物。
5.如权利要求1所述的盘,还包括在该凹陷部中的该非磁填充材料的上表面和该第一外涂层的基本共面的上表面上的第二外涂层,该第二外涂层由与该第一外涂层不同的材料形成,且其中该润滑剂层在该第二外涂层上。
6.如权利要求5所述的盘,其中该第二外涂层由选自以下材料构成的组的材料形成:非晶碳;硅碳化物;硼碳化物;硅氮化物;钛氮化物;硼氮化物;以及选自TiO2、ZrO2、Al2O3、Cr2O3、Ta2O5和ZrO2-Y2O3的金属氧化物。
7.如权利要求1所述的盘,其中该槽脊中的磁记录层材料具有基本垂直于该衬底的表面的磁各向异性。
8.如权利要求1所述的盘,还包括在该槽脊和该凹陷部之下位于该衬底的表面上的软磁衬层和在该槽脊和该凹陷部之下位于该软磁衬层上的交换中断层。
9.如权利要求1所述的盘,还包括在该凹陷部和该槽脊之下位于该衬底上的磁材料层。
10.如权利要求1所述的盘,其中该盘是离散道介质盘,且其中该槽脊包括径向间隔开的同心道,且具有非磁填充材料的该凹陷部包括径向间隔开的在该道之间的防护带。
11.如权利要求1所述的盘,其中该盘是位图案化介质盘,且其中该槽脊包括离散的数据岛,具有非磁填充材料的该凹陷部包括该数据岛之间的区域。
12.如权利要求1所述的盘,其中该槽脊包括基本径向指向的伺服块,该凹陷部包括该伺服块之间的区域。
13.一种磁记录盘,包括:
衬底,具有基本平坦的表面;
在该衬底上由垂直磁记录材料形成的多个高企的槽脊,该槽脊具有在该衬底的表面之上的上表面;
在该槽脊之间的该衬底上的多个凹陷部,该凹陷部具有比该槽脊的该上表面低的下表面,该凹陷部容纳非磁填充材料,该非磁填充材料具有上表面;以及
多层外涂层,在该槽脊的上表面上,该外涂层的上表面和该凹陷部中的该非磁填充材料的上表面基本共面,该多层外涂层包括第一外涂层和第二外涂层,该第二外涂层由与该第一外涂层的材料不同的材料形成;以及
润滑剂层,在该外涂层和该凹陷部中的该非磁填充材料的上表面上。
14.如权利要求13所述的盘,其中该第一和第二外涂层中的每个由选自硅氮化物和非晶碳的材料形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立环球储存科技荷兰有限公司,未经日立环球储存科技荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110085502.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。