[发明专利]一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物

说明书

技术领域

本发明涉及一种积层陶瓷电容器，尤其是一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物。

背景技术

一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物，特别适合供制造电容温度系数为0±03ppm/℃范围的积层陶瓷电容器用。烧结温度在1000℃以下，可与90％Ag/10％Pd内电极相匹配，制成积层陶瓷电容器。本发明系由100重量份之第一成份13.0mole％≤BaO≤20.5mole％，1.0mole％≤Bi2O3≤8.5mole％，8.0mole％≤Nd2O3≤16.0mole％，63.0mole％≤TiO2≤71.0mole％与2～16重量份由BaO，Bi2O3，SiO2，ZnO，B2O3所组成的第二成份的玻璃加以配合组成，其中玻璃的组成为5％≤BaO≤30％，20％≤Bi2O3≤70％，0％≤SiO2≤30％，10％≤ZnO≤40％，10％≤B2O3≤60％。

发明内容

针对上述问题，本发明提供温度补偿型积层陶瓷电容器及其介电材料组成物。

一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物，特别适合供制造电容温度系数为0±03ppm/℃范围的积层陶瓷电容器用。烧结温度在1000℃以下，可与90％Ag/10％Pd内电极相匹配，制成积层陶瓷电容器。本发明系由100重量份之第一成份13.0mole％≤BaO≤20.5mole％，1.0mole％≤Bi2O3≤8.5mole％，8.0mole％≤Nd2O3≤16.0mole％，63.0mole％≤TiO2≤71.0mole％与2～16重量份由BaO，Bi2O3，SiO2，ZnO，B2O3所组成的第二成份的玻璃加以配合组成，其中玻璃的组成为5％≤BaO≤30％，20％≤Bi2O3≤70％，0％≤SiO2≤30％，10％≤ZnO≤40％，10％≤B2O3≤60％。

具体实施方式

一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物，其中该第一成份中之各组成成份系以BaCO₃(碳酸钡)，Bi₂O₃(三氧化二铋)，Nd₂O₃(三氧化二钕)，TiO2(二氧化钛)为起始原料，于球磨中湿式混合16小时，倒出烘乾后于窑炉中以1050℃以上高温烧制2小时，烧制料再经粗碎细磨至0.9以下，温度补偿型积层陶瓷电容器介电材料组成物，其中该第一成份中之各组成成份系以BaCO3(碳酸钡)，Bi2O3(三氧化二铋)，或Nd2(CO3)3(碳酸钕)，TiO2(二氧化钛)为起始原料，于球磨中湿式混16小时，倒出烘乾后于窑炉中以1050℃以上高温烧制2小时，烧制料再经粗碎细磨至0.9以下，温度补偿型积层陶瓷电容器介电材料组成物，其中该第二成份中之各组成成份依比例秤量、混合、烘乾后于1100℃熔化水淬后再经粗碎细磨至1.5以下，一种温度补偿型积层陶瓷电容器，该积层陶瓷电容器之介电材料组成物是由100重量份之第一成份BaO-Bi2O3-Nd2O3-TiO2与2-16重量份的第二成份玻璃加以配合的组成物，该第二成份之玻璃之组成为5％。