[发明专利]基于表面等离子体集成的光复用/解复用器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110086104.5 | 申请日： | 2011-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102141651A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 周治平;胡飞飞;易华祥 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G02B6/28 | 分类号： | G02B6/28;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 表面 等离子体 集成 光复 解复用器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于表面等离子体集成的光复用/解复用器，其特征在于，包括金属狭缝波导，以及在所述金属狭缝波导中形成的多个谐振腔和耦合区，所述金属狭缝波导包括一条总线波导以及多条分支波导，所有谐振腔通过一个耦合区与所述总线波导耦合连接，每个谐振腔还通过另一耦合区与一个分支波导耦合连接。
2.如权利要求1所述的光复用/解复用器，其特征在于，所述耦合区为采用倏逝耦合方式形成的耦合区或者采用孔径耦合方式形成的耦合区。
3.如权利要求1所述的光复用/解复用器，其特征在于，所述谐振腔垂直或者平行于总线波导。
4.如权利要求3所述的光复用/解复用器，其特征在于，所述谐振腔为法布里-珀罗谐振腔结构。
5.如权利要求1所述的光复用/解复用器，其特征在于，所有谐振腔位于总线波导的一侧或者分布于总线波导的两侧。
6.如权利要求2所述的光复用/解复用器，其特征在于，采用倏逝耦合方式形成耦合区时，波导与对应谐振腔之间的耦合强度由波导与对应谐振腔之间的耦合距离决定。
7.如权利要求2所述的光复用/解复用器，其特征在于，采用孔径耦合方式形成耦合区时，波导与对应谐振腔之间的耦合强度由耦合区的耦合孔径的宽度来决定。
8.如权利要求3所述的光复用/解复用器，其特征在于，所述谐振腔垂直于总线波导时，分支波导与对应谐振腔之间的耦合位置位于该谐振腔的端面或侧面；所述谐振腔平行于总线波导时，分支波导与对应谐振腔之间的耦合位置位于该谐振腔的端面或侧面。
9.如权利要求1所述的光复用/解复用器，其特征在于，相邻的谐振腔之间的距离大于40nm。
10.一种基于表面等离子体集成的光复用/解复用器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在衬底上镀上一层金属层；
S2、在所述金属层上刻蚀权利要求1～9任一项所述的光复用/解复用器。
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