[发明专利]一种硅与金属复合材料的微结构加工方法无效
| 申请号： | 201110086183.X | 申请日： | 2011-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102167282A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 郭育华;王英男;江争;马广礼 | 申请（专利权）人： | 天津海鸥表业集团有限公司;精艺工程研发所有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人： | 杨宝兰 |
| 地址： | 300308 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 复合材料 微结构 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅与金属复合材料的微结构加工方法，其特征在于，包括，
步骤一：硅片（Si）与硅衬底上的金属电铸种子层（Ti/Au/Ti）的共熔键合；
步骤二：AZ正胶电铸金属图案的光刻；
步骤三：第一层硅结构的深度刻蚀；
步骤四：电铸金属内装结构；
步骤五：AZ正胶硅结构图案的光刻；
步骤六：第二层硅结构的深度刻蚀；
步骤七：去除光刻胶和分离基底，释放出硅与金属复合材料的微结构。
2.根据权利要求1所述的硅与金属复合材料的微结构加工方法，其特征在于，所述步骤一包括金属电铸种子层是在硅衬底上溅射Ti/Au/Ti金属种子层，所述硅片与金属电铸种子层在真空氮气烘箱内实现共熔键合；所述步骤二包括涂敷AZ4620P光刻胶，紫外光刻获得第一层结构的掩模图案；所述步骤三以步骤二所得图案为掩模，选用DRIE深度刻蚀第一层硅结构；所述步骤四以步骤三所得结构为模板电铸金属内装结构；所述步骤五包括涂敷AZ4620P光刻胶，对准紫外光刻获得第二层结构的掩模图案；所述步骤六以步骤五所得图案为掩模，选用DRIE深度刻蚀第二层硅结构；所述步骤七包括去除剩余的光刻胶和分离带有金属电铸种子层的硅衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津海鸥表业集团有限公司;精艺工程研发所有限公司，未经天津海鸥表业集团有限公司;精艺工程研发所有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110086183.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于变换器的隔离电路
- 下一篇：一种小型可控灌装速度的真空灌装装置
