[发明专利]具有耗尽型MOS晶体管的半导体装置有效
| 申请号： | 201110086411.3 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102208445A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 原田博文 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 耗尽 mos 晶体管 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其中包括：
半导体衬底上的、第一导电型的阱区；
在所述第一导电型阱区上形成的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成的栅电极；
在所述第一导电型的阱区内并且在所述栅电极的两侧形成的第二导电型的源极/漏极区；
在所述第一导电型的阱区内并且在所述源极/漏极区之间的所述栅极氧化膜下形成的第二导电型的低浓度杂质区；以及
在所述第一导电型的阱区内并且在所述源极/漏极区之间的所述第二导电型的低浓度杂质区之下形成的第一导电型的低浓度杂质区。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电型的低浓度杂质区配置成与所述源极/漏极区相分离。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一导电型的低浓度杂质区和所述源极/漏极区在0.5μm到1.5μm之间相分离。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电型的低浓度杂质区的峰值浓度为5.0×1016/cm3到1.0×1018/cm3。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其中所述第二导电型的低浓度杂质区的峰值浓度为1.0×1017/cm3到5.0×1018/cm3。
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