[发明专利]形成用于基于碲化镉的薄膜光伏装置的导电透明氧化物膜层的方法

权利要求书

1.在衬底上形成导电氧化物层的方法，所述方法包括：

在约10℃-约100℃的溅射温度下在衬底(12)上溅射透明导电氧化物层(14)；

将盖层(15)直接沉积在所述透明导电氧化物层(14)上，其中所述盖层(15)包含硫化镉；和

在约450℃-约650℃、优选约575℃-约625℃的退火温度下使所述透明导电氧化物层(14)退火。

2.权利要求1的方法，其中所述透明导电氧化物层(14)从包含锡酸镉的靶溅射且其中所述盖层(15)从包含硫化镉的靶溅射到所述透明导电氧化物层(14)上，优选所述盖层基本由硫化镉组成。

3.权利要求1或2的方法，其中所述盖层(15)溅射到约10nm-约150nm的厚度。

4.前述权利要求中任一项的方法，其中所述透明导电氧化物层(14)在包含惰性气体的退火气氛中退火，且其中所述退火气氛具有约1毫托-约100毫托的压力。

5.前述权利要求中任一项的方法，其中使所述透明导电氧化物层(14)退火约1分钟-约30分钟。

6.前述权利要求中任一项的方法，其还包括：

在使所述透明导电氧化物层(14)退火的同时监测所述盖层(15)的升华。

7.前述权利要求中任一项的方法，其还包括：

在退火之后冷却所述衬底；和

化学蚀刻所述盖层(14)。

8.前述权利要求中任一项的方法，其中使所述透明导电氧化物层(14)露面退火。

9.权利要求1-7中任一项的方法，其还包括：

在退火之前将盖遮板(17)可移动地安置在所述盖层(15)上，使得在退火期间所述盖层(15)被遮盖。

10.用于制造薄膜光伏装置(10)的中间衬底，所述衬底包括：

玻璃衬底(12)；

在玻璃衬底上的透明导电氧化物层(14)，其中所述透明导电氧化物层(14)包含氧化锡镉；和

直接在所述透明导电氧化物层(14)上的可移动的盖层(15)，其中所述可移动的盖层包含硫化镉且具有约10nm-约150nm的厚度。