[发明专利]被覆件及其制造方法无效
申请号: | 201110086741.2 | 申请日: | 2011-04-07 |
公开(公告)号: | CN102732846A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;杜艳娜 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/06;B32B9/04;B32B15/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 被覆 及其 制造 方法 | ||
1.一种被覆件,包括硬质基体,其特征在于:该被覆件还包括依次形成于该硬质基体上的过渡层、复合硬质层和抗氧化层,所述过渡层为铬层,所述复合硬质层包括依次形成于过渡层上的氮化铬层、氮化铪和氮化钼层,所述抗氧化层为氧化铝层。
2.如权利要求1所述的被覆件,其特征在于:该复合硬质层的厚度为3~7μm。
3.如权利要求1所述的被覆件,其特征在于:该硬质基体的材质为高速钢或不锈钢。
4.一种被覆件的制备方法,包括以下步骤:
提供一硬质基体;
于该硬质基体的表面磁控溅射铬层;
于该铬层上磁控溅射氮化铬层;
于该氮化铬层上磁控溅射氮化铪层;
于该氮化铬层上磁控溅射氮化钼层;
于该氮化钼层上磁控溅射氧化铝层。
5.如权利要求4所述的被覆件的制备方法,其特征在于:磁控溅射所述氮化铬层,以氩气为工作气体,调节氩气流量为100~300sccm,通入流量为10~70sccm的氮气,对硬质基体施加偏压-50~-200V,设置偏压的占空比为30%~80%,开启铬靶材,设置其功率为1~3kw。
6.如权利要求5所述的被覆件的制备方法,其特征在于:磁控溅射所述氮化铬层的时间为20~30min。
7.如权利要求4所述的被覆件的制备方法,其特征在于:形成该氮化铪层的工艺参数为:以铪靶为靶材,设置铪靶的功率为1~4KW,对硬质基体施加偏压为-100~-300V,设置偏压的占空比为30%~80%,氮气流量为10~70sccm,溅射时间为60~90min。
8.如权利要求7所述的被覆件的制备方法,其特征在于:形成该氮化钼层的工艺参数为:氮气流量为100~200sccm,对硬质基体施加-50~-100V的偏压,设置偏压的占空比为30%~50%,开启钼靶,设置其功率为8~13kw,沉积氮化钼层的时间为40~70min。
9.如权利要求4所述的被覆件的制备方法,其特征在于:磁控溅射氧化铝层的工艺:设置氩气流量为100~200sccm,设置氧气流量为150~200sccm,对硬质基体施加-50~-100V的偏压,设置偏压的占空比为30%~50%,选择铝为靶材,设置其功率为8~13kw,沉积时间为30~60min。
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