[发明专利]发光二极管芯片的制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制作方法，包括：

提供基板；

形成缓冲层于该基板上；

图案化该缓冲层，以于该缓冲层的表面上形成多个凹陷；

于该缓冲层的该表面上形成第一型半导体层，其中该第一型半导体层与该缓冲层接触的部分该表面构成键结连接面，且位于该些凹陷内的该第一型半导体层与该缓冲层之间存在孔洞；以及

依序形成主动层与第二型半导体层于该第一型半导体层上。

2.如权利要求1的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，更包括下列步骤：

进行掀离制程，以分离该第一型半导体层与该缓冲层。

3.如权利要求2的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在形成该第二电极于该第二型半导体层之前，更包括下列步骤：

图案化该主动层与该第二型半导体层以暴露出该第一型半导体层；

于被暴露该第一型半导体层与该第二型半导体层上形成分别第一电极与第二电极；以及

覆盖具有多个电极接垫的导电基板于该第二型半导体层之上，且该些电极接垫分别电性连接该第一电极与该第二电极，

其中当该第一型半导体层与该缓冲层被分离之后，该第一型半导体层、该主动层与该第二型半导体层转移至该导电基板上。

4.如权利要求1的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，该第一型半导体层、该主动层与该第二型半导体层依序顺应性形成于该缓冲层上。

5.如权利要求1的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，该进行该掀离制程以分离该第一型半导体层与该缓冲层的方法更包括：

汽化该键结连接面，以分离该第一型半导体层与该缓冲层，

其中汽化该键结连接面的方法包括进行一激光掀离制程。

6.如权利要求1的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，该些凹陷的宽度符合下列其一：小于5μm，或使宽度小于1μm同时凹陷的深度与宽度比达2∶1。

7.一种发光二极管芯片的制作方法，包括：

提供基板；

形成第一缓冲层于该基板上；

图案化该第一缓冲层，以于该第一缓冲层的一表面上形成多个凹陷；

于该第一缓冲层的该表面上形成第二缓冲层，其中该第二缓冲层与该第一缓冲层接触的部分该表面构成键结连接面，且位于该些凹陷内的该第二缓冲层与该第一缓冲层之间存在孔洞；以及

依序形成第一型半导体层、主动层与第二型半导体层于该第二型缓冲层上。

8.如权利要求7的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，更包括下列步骤：

进行掀离制程，以分离该第一缓冲层与该第二缓冲层。

9.如权利要求8的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在形成该第二电极于该第二型半导体层之前，更包括：

图案化该主动层与该第二型半导体层以暴露出该第一型半导体层；

于被暴露该第一型半导体层与该第二型半导体层上形成分别第一电极与第二电极；以及

覆盖具有多个电极接垫的导电基板于该第二型半导体层之上，且该些电极接垫分别电性连接该第一电极与该第二电极，

其中当该第一型半导体层与该缓冲层被分离之后，该第一型半导体层、该主动层与该第二型半导体层转移至该导电基板上。

10.如权利要求8的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，该进行该掀离制程以分离该第一缓冲层与该第二缓冲层的方法更包括：

汽化该键结连接面，以分离该第一缓冲层与该第二缓冲层，

其中汽化该键结连接面的方法包括进行激光掀离制程。

11.如权利要求7的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，该第二缓冲层、该第一型半导体层、该主动层与该第二型半导体层依序顺应性形成于该缓冲层上。

12.如权利要求7的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，凹陷的宽度符合下列其一：小于5μm，或使宽度小于1μm同时凹陷的深度与宽度比达2∶1。