[发明专利]制造集成电路芯片的方法及集成电路结构

权利要求书

1.一种制造集成电路芯片的方法，包括：

在半导体基板中的相关于所述集成电路芯片的平面布局的所述基板上的第一位置形成第一沟槽，其中所述第一沟槽自所述基板的顶表面延伸第一距离至所述基板中；

用电子背散射材料填充所述第一沟槽；

凹陷所述基板的顶表面下方的所述背散射材料；

用介电帽盖层填充所述第一沟槽；

在相关于所述集成电路芯片的所述平面布局的所述基板上的第二位置设置第二沟槽，及蚀刻所述第二沟槽至所述基板中，所述第二沟槽自所述基板的所述顶表面延伸第二距离至所述基板中，以及所述第一距离大于所述第二距离。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述电子背散射层包括金属。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述电子背散射层及所述帽盖层之间形成应力减小层。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述电子背散射层包括金属，以及所述应力减小层包括金属硅化物。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述基板的顶上形成抗蚀剂层；

将光学光掩模对准所述第一沟槽；以及

将所述抗蚀剂层通过光掩模暴露于紫外光。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述基板的顶上形成抗蚀剂层；

将光学光掩模对准所述第二沟槽；以及

将所述抗蚀剂层通过光掩模暴露于紫外光。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述基板的顶上形成抗蚀剂层；

将光学光掩模对准所述第一沟槽；

将所述抗蚀剂层通过光掩模暴露于紫外光；

将电子束的起始位置对准所述第一沟槽；以及

将所述抗蚀剂层暴露于所述电子束辐射。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述基板的顶上形成抗蚀剂层；

将光学光掩模对准所述第二沟槽；

将所述抗蚀剂层通过光掩模暴露于紫外光；

将电子束的起始位置对准所述第一沟槽；以及

将所述抗蚀剂层暴露于所述电子束辐射。

9.如权利要求1所述的方法，还包括：

所述基板包括埋藏氧化层、硅层及主体，所述埋藏氧化层位于所述硅层及所述主体之间，所述硅层的顶表面是所述基板的所述顶表面；

所述第一沟槽延伸穿过所述硅层、穿过所述埋藏氧化层且至所述主体中；以及

所述第二沟槽延伸穿过所述硅层，以接触所述埋藏氧化层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述电子背散射层的顶表面位于所述埋藏氧化层的底表面下方。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述应力减小层的顶表面位于所述埋藏氧化层的底表面下方。

12.如权利要求1所述的方法，还包括：

衬层，形成于所述第一沟槽的侧壁及底部上。

13.一种集成电路结构，包括：

第一沟槽，在半导体基板中的相关于所述集成电路芯片的平面布局的所述基板上的第一位置；

电子背散射层，在所述第一沟槽的所述底部中；

介电帽盖层，在所述电子背散射层上方的所述第一沟槽中；

第二沟槽，在所述基板中的相关于所述集成电路芯片的所述平面布局的所述基板上的第二位置；

其中所述基板包括在硅层及主体之间的埋藏氧化层，所述硅层的顶表面为所述基板的顶表面；

所述第一沟槽延伸穿过所述硅层、穿过所述埋藏氧化层及至所述主体中；以及

所述第二沟槽延伸穿过所述硅层，且接触所述埋藏氧化层。

14.如权利要求13所述的结构，其中所述电子背散射层包括金属。

15.如权利要求14所述的结构，还包括：

应力减小层，在所述电子背散射层及所述帽盖层之间。

16.如权利要求14所述的结构，其中所述电子背散射层包括金属，以及所述应力减小层包括金属硅化物。