[发明专利]发光元件,发光器件,电子器件和照明器件

权利要求书

1.一种发光元件，其包括：

位于阳极和阴极之间的n个EL层，n是大于或等于2的自然数；以及

从阳极计，介于第m个EL层和第(m+1)个EL层之间的第一层，第二层和第三层，m是大于或等于1且小于或等于(n-1)的自然数，

其中，所述第一层提供在第(m+1)个EL层和第二层之间，与所述第(m+1)个EL层以及第二层接触，包含有机化合物和受体物质，

所述第二层提供在第一层和第三层之间，其与所述第一层和第三层接触，由金属配合物形成，所述金属配合物包含金属-氧键和芳族配体，

所述第三层提供在所述第二层和第m个EL层之间，与所述第二层和第m个EL层接触，包含碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物。

2.如权利要求1所述的发光元件，

其特征在于，所述第一层作为电荷产生区域，具有空穴传输性质，以及

所述第三层具有电子传输性质。

3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述金属配合物是基于酞菁的材料。

4.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述基于酞菁的材料是以下结构式所示的任意材料：

5.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第二层的LUMO能级大于或等于-5.0eV且小于或等于-3.0eV。

6.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述第三层还包含电子传输物质，

在所述第三层中，所述碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的一种与电子传输物质的质量比大于或等于0.001∶1且小于或等于0.1∶1。

7.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述第三层还包含电子传输物质，

其中，包含电子传输物质的层和包含碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物的层相互层叠。

8.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述受体物质是过渡金属的氧化物或者周期表第4-8族的任意金属的氧化物。

9.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述受体物质是氧化钼。

10.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述第一层还包含空穴传输物质，

所述包含空穴传输物质的层与包含受体物质的层相互层叠。

11.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第二层包含碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、或稀土金属化合物。

12.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，在所述第二层中，所述碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的一种与金属配合物的质量比大于或等于0.001∶1且小于或等于0.1∶1。

13.一种包含权利要求1所述的发光元件的发光器件。

14.一种包含权利要求13所述的发光器件的电子器件。

15.一种包含权利要求13所述的发光器件的照明器件。

16.一种发光元件，其包括：

位于阳极和阴极之间的n个EL层，n是大于或等于2的自然数；以及

从阳极计，介于第m个EL层和第(m+1)个EL层之间的第一层，第二层和第三层，m是大于或等于1且小于或等于(n-1)的自然数，

其中，所述第一层提供在第(m+1)个EL层和第二层之间，与所述第(m+1)个EL层以及第二层接触，包含受体物质，

所述第二层提供在第一层和第三层之间，其与所述第一层和第三层接触，由金属配合物形成，所述金属配合物包含金属-氧双键和芳族配体，

所述第三层提供在所述第二层和第m个EL层之间，与所述第二层和第m个EL层接触，包含碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物。

17.如权利要求16所述的发光元件，

其特征在于，所述第一层作为电荷产生区域，具有空穴传输性质，以及

所述第三层具有电子传输性质。