[发明专利]基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备

权利要求书

1.基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备，其特征是：靶座(2)安装在腔体(1)外侧，靶座(2)内侧安装靶材(3)，在腔体(1)内有相对安装的靶材(3)之间的磁力线(8)穿过，腔体(1)内安装挡板机构(9)，腔体(1)内由挡板机构(9)分割形成的通道中在相应靶座(2)之间构成闭合或非闭合磁场。

2.如权利要求1所述的基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，腔体（1）内安装导轨（4）和周转架（5）。

3.如权利要求1所述的基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，腔体(1)内安装挡板机构(9)后形成左通道(6)和右通道(7)。

4.如权利要求1所述的基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，相向对面的对合式的靶座(2)和靶材(3)构成非平衡的闭合或非闭合磁场。

5.如权利要求1所述的基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，在同一个真空腔体内的多组靶座(2)和靶材(3)相互组合或者单独构成非平衡的闭合或非闭合磁场。

6.如权利要求1所述的基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，单对靶座（2）和靶材(3)或单个靶座(2)和靶材(3)独立的相互组合构成非平衡的闭合或非闭合磁场。

7.如权利要求1所述的基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，辉光等离子体从靶的表面一直延伸到基体，到达基体的离子电流密度可达到2～10mA/cm²，甚至是更高。