[发明专利]一种套刻偏差检查标记及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110087489.7 申请日: 2011-04-08
公开(公告)号: CN102738121A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 王辉;安辉 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;顾珊
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 偏差 检查 标记 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种套刻偏差检查标记,包括:

第一子结构,所述第一子结构形成在第一材料层中,并且由围成“口”字形的四个长条状标记组成;

第二子结构,所述第二子结构形成在所述第一材料层中,且位于所述第一子结构内侧;和

第三子结构,所述第三子结构形成在位于所述第一材料层上的第二材料层中且由围成“口”字形的四个长条状标记组成,且从平面看,与所述第一子结构嵌套构成“回”字形,并且所述第一、第二和第三子结构彼此不重合。

2.根据权利要求1所述的套刻偏差检查标记,其特征在于,所述第二子结构由方块状标记组成。

3.根据权利要求2所述的套刻偏差检查标记,其特征在于,从平面看,所述第三子结构位于所述第一子结构与所述第二子结构之间。

4.根据权利要求2所述的套刻偏差检查标记,其特征在于,从平面看,所述第一子结构位于所述第二子结构与所述第三子结构之间。

5.根据权利要求1所述的套刻偏差检查标记,其特征在于,所述第二子结构由围成“口”字形的四个长条状标记组成。

6.根据权利要求5所述的套刻偏差检查标记,其特征在于,从平面看,所述第二子结构位于所述第一子结构与所述第三子结构之间。

7.根据权利要求5所述的套刻偏差检查标记,其特征在于,从平面看,所述第三子结构位于所述第一子结构与所述第二子结构之间。

8.根据权利要求5所述的套刻偏差检查标记,其特征在于,从平面看,所述第一子结构位于所述第一子结构与所述第二子结构之间。

9.根据权利要求1所述的套刻偏差检查标记,其特征在于,从剖面看,所述第一、第二和第三子结构被形成为凹槽状或凸起状。

10.一种用于制作如权利要求1所述的套刻偏差检查标记的方法,所述套刻偏差检查标记包括第一子结构、第二子结构和第三子结构,所述方法包括:

提供第一材料层;

蚀刻所述第一材料层,以将第一掩模版上的第一子结构图案和第二子结构图案转移到所述第一材料层上,从而在所述第一材料层中形成所述第一子结构和所述第二子结构;

在所述第一材料层上形成第二材料层;以及

蚀刻所述第二材料层,以将第二掩模版上的第三子结构图案转移到所述第二材料层上,从而在所述第二材料层中形成所述第三子结构。

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