[发明专利]集成磁和加速度传感器的封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201110087553.1 申请日: 2011-04-08
公开(公告)号: CN102730617A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 陈东敏;刘海东;段志伟 申请(专利权)人: 美新半导体(无锡)有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 王爱伟
地址: 214028 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 集成 加速度 传感器 封装 结构 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种集成磁和加速度传感器的封装结构,其特征在于:其包括:

第一晶圆,其上设有驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器的结构电路,第一晶圆上还开设有第一腔体,第一腔体中设有加速度传感器的机械结构,第一晶圆的正面设置金属焊盘;

第二晶圆,其键合在所述第一晶圆的上方,其上设有用于与第一腔体配合的第二腔体,且第二腔体的尺寸大于或等于所述加速度传感器机械机构的尺寸;

金属导线,其由所述金属焊盘引出并再分布到键合后的第一晶圆的背面;

磁传感器,其倒装于键合后的第一晶圆的背面。

2.根据权利要求1所述的集成磁和加速度传感器的封装结构,其特征在于:所述加速度传感器为三轴加速度传感器。

3.根据权利要求2所述的集成磁和加速度传感器的封装结构,其特征在于:所述加速度传感器为三轴热式加速度传感器。

4.根据权利要求3所述的集成磁和加速度传感器的封装结构,其特征在于:所述第一腔体和第二腔体内密封有0.5-4个大气压的重气。

5.根据权利要求1所述的集成磁和加速度传感器的封装结构,其特征在于:所述磁传感器为三轴磁传感器。

6.根据权利要求1所述的集成磁和加速度传感器的封装结构,其特征在于:所述第二晶圆为玻璃晶圆或硅片。

7.一种集成磁和加速度传感器的封装方法,其包括有以下步骤:

准备第一晶圆,在其上设置驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器的结构电路;

对所述第一晶圆的正面进行刻蚀,以释放加速度传感器的机械结构,并形成第一腔体,第一晶圆的正面上除第一腔体以外的位置设置金属焊盘;

准备第二晶圆,对其进行加工形成与所述第一腔体配合的第二腔体,并且第二腔体的尺寸大于或等于所述加速度传感器机械机构的尺寸;

将所述第一晶圆与第二晶圆进行键合,键合后第二晶圆在第一晶圆的上方,第二腔体在第一腔体的上方; 

将所述金属焊盘引出至键合后的第一晶圆的背面,并将引出的金属导线在背面进行再分布;

将磁传感器进行凸点工艺处理,再倒装到键合后的第一晶圆的背面;

在所述第一晶圆的背面设置焊球。

8.如权利要求7所述的集成磁和加速度传感器的封装方法,其特征在于:所述第一晶圆与第二晶圆间的键合方式为共晶键合、金属热压合、环氧密封结合中的一种。

9.如权利要求7所述的集成磁和加速度传感器的封装方法,其特征在于:所述将金属焊盘引出至第一晶圆背面的方式为侧壁引线工艺或硅通孔工艺。

10.如权利要求7所述的集成磁和加速度传感器的封装方法,其特征在于:所述将磁传感器进行凸点工艺处理的方式为电镀、植球、锡膏印刷等方式中的一种。

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