[发明专利]提高NOR FLASH擦写寿命的方法有效
申请号: | 201110088074.1 | 申请日: | 2011-04-08 |
公开(公告)号: | CN102736981A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 甘景全;崔志民;张平;贺毅;杨大勇;李利 | 申请(专利权)人: | 航天信息股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;朱世定 |
地址: | 100195 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 nor flash 擦写 寿命 方法 | ||
1.一种提高NOR FLASH擦写寿命的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S102,按照4K物理地址对应1K逻辑地址的原则,建立逻辑映射表T[m][n],将NOR FLASH的物理地址映射为逻辑地址,其中,m是逻辑地址页号,m的取值为0、1、2.....,n是有效数据的逻辑编号,T[m][n]的数值是有效数据存放的扇区号;
S104,当进行逻辑写操作时,通过逻辑地址计算出m和n,查询逻辑映射表得到扇区编号,计算出物理地址并读出该物理地址的数据,并判断该数据是否为0xFFFF,若是,进入步骤S106,否则转入步骤S108;
S106,将该数据写入该物理地址;
S108,判断当前所在扇区是否为最后一个扇区,若当前所在扇区不是最后一个扇区,进入步骤S110,否则转入步骤S112;
S110,将该数据写入当前所在扇区的下个扇区,并且更新逻辑映射表;
S112,将所有m个扇区的有效数据都拷贝到内存中,擦除m个扇区的数据,再把有效数据从内存拷贝到第一个扇区,同时更新逻辑映射表。
2.根据权利要求1所述的提高NOR FLASH擦写寿命的方法,其特征在于,按照4K物理地址对应1K逻辑地址的原则,建立逻辑映射表T[m][n],将NOR FLASH的物理地址映射为逻辑地址步骤包括:
a,计算物理地址,并通过该物理地址读出1个半字数据,其中,物理地址=物理基地址+4×1024×m+p×1024+2×n,p为扇区编号,其初始值为3;
b,判断步骤a中读出的数据是否为0xFFFF,若是则进入步骤d,否则进入步骤c;
c,将该扇区编号赋值给T[m][n],并将扇区编号减一,即p=p-1,转入步骤a;
d,若p等于0,则将T值赋为0。
3.根据权利要求1或2所述的提高NOR FLASH擦写寿命的方法,其特征在于,还包括以下步骤:
当进行逻辑读操作时,通过逻辑地址算出m和n,其中m=(逻辑地址+1)/1024,n=(逻辑地址%1024)/2,通过查询逻辑映射表得到扇区编号,并计算出该逻辑地址对应的物理地址,根据该物理地址读出数据。
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