[发明专利]腔室装置和具有它的基片处理设备有效
申请号: | 201110088702.6 | 申请日: | 2011-04-08 |
公开(公告)号: | CN102732853A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 徐亚伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 具有 处理 设备 | ||
1.一种腔室装置,包括腔室本体和进气部件,所述腔室本体内限定有腔室,所述进气部件设在所述腔室本体上用于向所述腔室内供气,其特征在于,还包括第一热电冷却部件,所述第一热电冷却部件的冷端邻近所述腔室本体的至少一部分外表面而设置以冷却所述腔室本体,且所述第一热电冷却部件的热端远离所述腔室本体的至少一部分外表面而设置。
2.根据权利1所述的腔室装置,其特征在于,所述第一热电冷却部件的冷端贴置在所述腔室本体的整个外表面上。
3.根据权利1所述的腔室装置,其特征在于,所述第一热电冷却部件的冷端通过蓄冷片贴置在所述腔室本体的外表面上。
4.根据权利1所述的腔室装置,其特征在于,所述第一热电部件包括设在所述腔室本体的顶壁外表面上的顶壁热电冷却部件和设在所述腔室本体的周壁外表面上的周壁热电冷却部件。
5.根据权利4所述的腔室装置,其特征在于,所述腔室本体的顶壁内形成有进气通道和将所述进气通道与所述腔室连通的进气孔以使所述进气部件由所述顶壁构成。
6.根据权利5所述的腔室装置,其特征在于,还包括第二热电冷却部件,所述第二热电冷却部件的冷端设在所述进气孔内并与所述顶壁热电冷却部件的冷端相连,所述第二热电冷却部件的热端与所述顶壁热电冷却部件的热端为同一热端。
7.根据权利5所述的腔室装置,其特征在于,所述进气孔为多个,所述多个进气孔沿竖直方向延伸且均匀分布在所述顶壁上。
8.根据权利4所述的腔室装置,其特征在于,所述进气部件包括内管和套设在所述内管外面的外管,所述外管与所述内管之间限定出外进气通道且所述内管限定出内进气通道,所述内管和所述外管的下端穿过所述腔室本体的所述顶壁向下延伸到所述腔室内。
9.根据权利8所述的腔室装置,其特征在于,还包括第三热电冷却部件和第四热电冷却部件,所述第三热电冷却部件的冷端设在所述内管的外表面上并与所述顶壁热电冷却部件的冷端相连,所述第四热电冷却部件的冷端设在所述外管的外表面上并与所述顶壁热电冷却部件的冷端相连,且所述第三热电冷却部件和第四热电冷却部件的热端与所述顶壁热电冷却部件的热端为同一热端。
10.根据权利4所述的腔室装置,其特征在于,所述腔室本体的底壁内设有冷却介质通道以通过水冷或油冷的方式对所述腔室本体的底壁冷却。
11.一种基片处理设备,其特征在于,包括托盘和权利要求1-10中任一项所述的腔室装置。
12.根据权利11所述的基片处理设备,其特征在于,所述托盘为多层托盘,且所述多层托盘沿所述腔室的轴线等间隔排列。
13.根据权利12所述的基片处理设备,其特征在于,所述多层托盘沿所述腔室的轴线呈竖直方向等间隔排列。
14.根据权利12所述的基片处理设备,其特征在于,所述腔室装置的进气部件包括进气本体和至少一个气体喷口件,所述进气本体内限定有进气通道,所述进气通道中设有用于通入各反应气体的反应气体管道组和用于通入隔离气体的隔离气体管道,所述气体喷口件设置在所述进气本体上,且每个所述气体喷口件包括沿所述进气通道的横截面方向排气的多层气孔,其中,所述多层气孔中的顶层气孔与所述隔离气体管道连通,所述多层气孔中所述顶层气孔以下的各层气孔匹配地与所述反应气体管道组中的各管道连通;及
所述进气本体穿过所述多层托盘的中心孔,且每层托盘与至少一个所述气体喷口件对应。
15.根据权利11至14任一所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片处理设备为有机金属化学气相沉积设备。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的