[发明专利]多晶硅铸锭炉和多晶硅铸锭方法无效
申请号: | 201110089125.2 | 申请日: | 2011-04-11 |
公开(公告)号: | CN102732959A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 史珺;宗卫峰;水川;佟晨;程素玲 | 申请(专利权)人: | 上海普罗新能源有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201314 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 铸锭 方法 | ||
1.一种多晶硅铸锭炉,其特征在于,包括:炉体和位于所述炉体中的一保温体、一石墨平台、四个坩埚、上加热体和下加热体;
所述炉体包括上炉盖、炉身和炉底,所述炉底和所述炉身采用液压连接,所述炉底能和所述炉身分开或闭合;
所述保温体为立方形,所述保温体包括上保温体和下保温体;
所述石墨平台位于所述保温体中并被所述保温体包围,所述四个坩埚放置于所述石墨平台上;
所述上加热体和所述下加热体都位于所述保温体中,且所述上加热体位于所述坩埚顶部的所述上保温体的顶面下方、所述下加热体位于所述石墨平台下方,所述上加热体和所述上保温体固定在一起并固定于所述炉身上,所述下加热体和所述下保温体固定在一起并能一起和所述上保温体分开并向下移动。
2.如权利要求1所述多晶硅铸锭炉,其特征在于:所述四个坩埚在所述石墨平台上的放置方式为呈田字形摆放。
3.如权利要求1所述多晶硅铸锭炉,其特征在于:所述四个坩埚的边长分别为720毫米~1200毫米。
4.如权利要求1所述多晶硅铸锭炉,其特征在于:所述上加热体完全覆盖住所述四个坩埚、且所述上加热体的外缘尺寸大于所述四个坩埚的外缘尺寸5%~30%,所述四个坩埚的外侧面和所述保温体相隔有一定的距离,所述上加热体的处于所述四个坩埚的外缘外部的部分用于对所述四个坩埚的侧面加热。
5.如权利要求1所述多晶硅铸锭炉,其特征在于:在各所述坩埚的周围放置有护板。
6.如权利要求1所述多晶硅铸锭炉,其特征在于:所述上加热体由两个加热回路组成,所述两个加热回路能同时工作、也能互为热备份。
7.一种多晶硅铸锭方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、用液压装置放下并打开所述炉底并在所述四个坩埚中装入硅料;
步骤二、上升所述炉底使其闭合,开始抽真空;
步骤三、当所述炉体的真空度达到1Pa时,给所述上加热体和所述下加热体送电,开始加热所述硅料并使所述硅料完全熔化;
步骤四、进行长晶过程,包括分步骤:逐步降低所述下加热体的功率,使所述坩埚底部温度逐渐降低,当所述坩埚底部温度低于所述硅料的熔点时所述坩埚底部开始结晶并形成多晶硅;当所述下加热体的功率降到0时,将所述下保温体和所述下加热体一起下降,使所述多晶硅继续往上生长;
步骤五、将所述下保温体和所述下加热体提升,对所述多晶硅进行退火,接着再对所述多晶硅进行冷却;
步骤六、当所述多晶硅形成的多晶硅铸锭的温度降低到300℃以下时,放下所述炉底并将所述多晶硅铸锭取出。
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