[发明专利]超结功率晶体管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种超结功率晶体管结构，其特征在于，该结构包括：

漏极；

第一导电类型衬底，位于所述漏极之上；

有源区，位于所述第一导电类型衬底之上；其中，所述有源区由下至上包括第一导电类型漂移区、位于所述第一导电类型漂移区一侧上方的第一导电类型源区、以及位于所述第一导电类型源区与所述第一导电类型漂移区之间的第二导电类型体区；

侧壁隔离结构，位于所述第一导电类型衬底之上，且与所述有源区的靠近第一导电类型源区的一侧接触；其中，所述侧壁隔离结构的高度低于所述有源区高度，使所述有源区上部的第一导电类型源区和第二导电类型体区的侧壁不被所述侧壁隔离结构遮挡；

栅区，位于所述有源区的第二导电类型体区之上；

表面隔离结构，覆盖于所述栅区表面，并将所述第一导电类型源区与所述第一导电类型漂移区的上表面覆盖；

源极，覆盖于所述表面隔离结构表面，并从所述有源区的靠近第一导电类型源区的一侧向下伸入至所述侧壁隔离结构之上，同时与第一导电类型源区和第二导电类型体区电导通。

2.根据权利要求1所述的超结功率晶体管结构，其特征在于：所述栅区包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极层。

3.根据权利要求2所述的超结功率晶体管结构，其特征在于：在所述栅极层上还设有绝缘层。

4.根据权利要求1所述的超结功率晶体管结构，其特征在于：所述源极还包括沿所述侧壁隔离结构侧面继续向下延伸形成的场板。

5.根据权利要求1或4所述的超结功率晶体管结构，其特征在于：在所述有源区中还设有第二导电类型缓冲区，所述第二导电类型缓冲区位于所述第二导电类型体区下方，分别与所述第二导电类型体区、侧壁隔离结构、以及第一导电类型漂移区接触。

6.根据权利要求5所述的超结功率晶体管结构，其特征在于：所述第二导电类型缓冲区为浅掺杂的第二导电类型半导体材料；所述第二导电类型体区为重掺杂的第二导电类型半导体材料。

7.一种超结功率晶体管结构，其特征在于，该结构包括：

集电极；

第二导电类型衬底，位于所述集电极之上；

有源区，位于所述第二导电类型衬底之上；其中，所述有源区由下至上包括第一导电类型漂移区、位于所述第一导电类型漂移区一侧上方的第一导电类型发射区、以及位于所述第一导电类型发射区与所述第一导电类型漂移区之间的第二导电类型体区；

侧壁隔离结构，位于所述第二导电类型衬底之上，且与所述有源区的靠近第一导电类型发射区的一侧接触；其中，所述侧壁隔离结构的高度低于所述有源区高度，使所述有源区上部的第一导电类型发射区和第二导电类型体区的侧壁不被所述侧壁隔离结构遮挡；

栅区，位于所述有源区的第二导电类型体区之上；

表面隔离结构，覆盖于所述栅区表面，并将所述第一导电类型发射区与所述第一导电类型漂移区的上表面覆盖；

发射极，覆盖于所述表面隔离结构表面，并从所述有源区的靠近第一导电类型发射区的一侧向下伸入至所述侧壁隔离结构，同时与第一导电类型发射区和第二导电类型体区电导通。

8.根据权利要求7所述的超结功率晶体管结构，其特征在于：所述栅区包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极层。

9.根据权利要求8所述的超结功率晶体管结构，其特征在于：在所述栅极层上还设有绝缘层。

10.根据权利要求7所述的超结功率晶体管结构，其特征在于：在所述有源区中还设有第二导电类型缓冲区，所述第二导电类型缓冲区位于所述第二导电类型体区下方，分别与所述第二导电类型体区、侧壁隔离结构、以及第一导电类型漂移区接触。

11.根据权利要求10所述的超结功率晶体管结构，其特征在于：所述第二导电类型缓冲区为浅掺杂的第二导电类型半导体材料；所述第二导电类型体区为重掺杂的第二导电类型半导体材料。