[发明专利]一种单晶硅纳米结构的制备方法

权利要求书

1.一种单晶硅纳米结构的制备方法，包括如下步骤：

1)以硅基片或SOI硅片作为衬底，在衬底上制作掩膜层，根据所需要的单晶硅纳米结构形成掩膜图形，掩膜图形线宽≤2μm；2)对衬底进行氧化，在硅表面形成二氧化硅层，并消耗掉部分硅；

3)用氢氟酸溶液腐蚀掉二氧化硅，得到单晶硅纳米结构。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)先在衬底上依次热氧化生长二氧化硅层和淀积氮化硅层，然后光刻形成光刻胶掩膜，再刻蚀氮化硅层和二氧化硅层形成掩膜图形。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜图形的线宽为1～2μm。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中采用低压化学气相淀积技术淀积氮化硅；采用反应离子刻蚀技术刻蚀氮化硅层和二氧化硅层。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤1)和2)之间增加下述步骤：干法刻蚀衬底硅，形成一定高度的硅台阶，形成微米级硅结构。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述硅台阶高度为0.1μm-5μm。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)先采用湿氧氧化方法，再采用干氧氧化方法。