[发明专利]垂直式发光二极管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直式发光二极管结构，包括：

半导体堆叠层，包括第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，该主动层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；

绝缘阻障层，覆盖该半导体堆叠层并具有开口，且该开口暴露出该半导体堆叠层；以及

金属堆叠层，堆叠于该绝缘阻障层的该开口内而与该第二型半导体层实体连接，且该金属堆叠层包括欧姆接触层、反射层与导电阻障层，其中该反射层位于该欧姆接触层与该导电阻障层之间，且该欧姆接触层与该第二型半导体层实体连接。

2.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中该金属堆叠层的厚度大于该绝缘阻障层于该半导体堆叠层上的厚度，且该反射层与该欧姆接触层的厚度总和小于等于该绝缘阻障层于该半导体堆叠层上的厚度。

3.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中位于该开口内的该金属堆叠层与该绝缘阻障层实体接触。

4.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中位于该开口内的该金属堆叠层与该绝缘阻障层保持间隙。

5.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中该绝缘阻障层于该半导体堆叠层上的厚度大于等于0.3μm。

6.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中该反射层的厚度实质上介于0.15μm至0.5μm。

7.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中该导电阻障层的厚度实质上大于等于1μm。

8.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，还包括粘着层，设置于该绝缘阻障层上。

9.根据权利要求8所述的垂直式发光二极管结构，其中该粘着层为导电粘着层，且该导电粘着层为单层或多层。

10.根据权利要求8所述的垂直式发光二极管结构，还包括导电基板，覆盖于该金属堆叠层上并与该导电阻障层及该粘着层实体连接。

11.一种垂直式发光二极管结构的制作方法，包括

形成未掺杂半导体层、第一型半导体层、主动层与第二型半导体层于基板上；

形成绝缘阻障层于该基板上，以覆盖该未掺杂半导体层、该第一型半导体层、该主动层与该第二型半导体层；

形成图案化粘着层于该第二型半导体层上方的部分该绝缘阻障层上；

图案化该绝缘阻障层，以形成暴露出该第二型半导体层的开口；

形成金属堆叠层于该开口所暴露的该第二型半导体层上；

覆盖导电基板于该金属堆叠层上，且该导电基板与该导电阻障层及该粘着层实体连接；

移除该基板、未掺杂半导体层以及部分该绝缘阻障层，以暴露出该第一型半导体层；以及

形成电极层于该第一型半导体层上。

12.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中形成该金属堆叠层的方法包括：

依序堆叠欧姆接触层、反射层与导电阻障层于该开口所暴露的该第二型半导体层上。

13.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中在形成该电极层于该第一型半导体层上的步骤之前，还包括：

粗糙化该第一型半导管层的表面。

14.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中形成该金属堆叠层的厚度实质上大于形成该绝缘阻障层的厚度。

15.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中该导电基板包括半导体基板与导电层，该导电层配置于该半导体基板上，且该导电层与该导电阻障层及该粘着层实体连接。

16.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中位于该开口内的该金属堆叠层与该绝缘阻障层实管接触。

17.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中位于该开口内的该金属堆叠层与该绝缘阻障层保持间隙。