[发明专利]具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片，其特征在于其包括：

一基底，具有一腔室；

一振膜，设置该腔室上，该振膜具有纵向落差的阶级；以及

一背板，邻近于该振膜，并与其保持一距离，且该背板具有多个音孔。

2.根据权利要求1所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片，其特征在于其中所述的振膜的阶级为两层。

3.根据权利要求2所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片，其特征在于其中所述的振膜的顶缘阶级层的横向宽度小于或大于底缘阶级层。

4.根据权利要求1所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片，其特征在于其中该背板内缘形状与该振膜外缘对应相同。

5.根据权利要求4所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片，其特征在于其中所述的振膜阶级的边缘端角为圆角结构。

6.根据权利要求1所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片，其特征在于其中该基底与该振膜之间具有二氧化硅层。

7.根据权利要求6所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片，其特征在于其中所述的该振膜与该二氧化硅层之间设有一氮化硅层。

8.一种具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：

提供一基底；

在该基底上成型带有纵向落差阶级的一振膜与一背板，且该背板具有多个音孔；

在该基底制作一腔室，以使该振膜形成悬浮结构；以及

将该背板与该振膜之间制作出一空间，以制作出该微机电麦克风晶片。

9.根据权利要求8所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中所述的基底的上表面沉积一第一牺牲层，且在该第一牺牲层上沉积一第二牺牲层，该振膜沿着该第一牺牲层与该第二牺牲层的外形沉积，再沿着该振膜外形沉积一第三牺牲层，再将该背板沉积于该第三牺牲层上。

10.根据权利要求9所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中将该第一牺牲层、第二牺牲层施以蚀刻，使得该振膜形成悬浮结构。

11.根据权利要求9所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中自该背板朝该振膜方向，将该第三牺牲层施以蚀刻，以制作该空间。

12.根据权利要求9所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中在沉积该振膜之前，将该第一牺牲层与该第二牺牲层施以湿蚀刻，而分别在边缘端角制作出圆角结构。

13.根据权利要求8所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中制作该音孔的同时，在该振膜上成型一金属焊垫。

14.根据权利要求9所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中沉积该第一牺牲层之前，在基底上表面及下表面依序分别成型有二氧化硅层及氮化硅层。

15.根据权利要求9所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中沉积该背板之前，在该第三牺牲层上制作一介电层。

16.根据权利要求8所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中基底蚀刻一第一凹槽，其于槽内向下蚀刻一第二凹槽，该背板沉积于该第一凹槽与该第二凹槽，该背板沉积有一绝缘层，之后该绝缘层上沉积一牺牲层，该振膜即沉积于该牺牲层上。

17.根据权利要求16所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中该第一凹槽与该第二凹槽两端的转折处制作有圆角结构。

18.根据权利要求16所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中所述的第二凹槽为在第一凹槽的槽内向槽外扩大蚀刻成型。

19.根据权利要求16所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中其中制作该背板的同时，在其侧边制作金属焊垫而位于基板的预定图形上。

20.根据权利要求16所述的具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片的制造方法，其特征在于其中自腔室朝振膜方向将该绝缘层蚀穿，再将该背板与该振膜之间的该牺牲层蚀刻，以制作该空间。