[发明专利]热电器件及其形成方法、感温传感器和热源图像传感器

权利要求书

1.一种热电器件，包括：

在基板上的第一纳米线和第二纳米线，所述第一纳米线和所述第二纳米线彼此分开；

第一硅薄膜，连接到所述第一纳米线的一端；

第二硅薄膜，连接到所述第二纳米线的一端；以及

第三硅薄膜，连接到所述第一纳米线和所述第二纳米线的另一端，

其中所述第一纳米线和所述第二纳米线在平行于所述基板的上表面的方向上延伸。

2.如权利要求1所述的热电器件，其中所述硅薄膜和所述纳米线设置在相同的平面上。

3.如权利要求1所述的热电器件，其中所述硅薄膜和所述纳米线具有相同的厚度。

4.如权利要求1所述的热电器件，还包括：

第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜，分别电连接到所述硅薄膜；以及

吸收体，电连接到所述第三金属薄膜。

5.如权利要求4所述的热电器件，其中所述吸收体吸热，且通过所述第三金属薄膜将所述热传送到所述第三硅薄膜。

6.如权利要求4所述的热电器件，其中所述第一纳米线和所述第二纳米线包括硅。

7.如权利要求6所述的热电器件，其中所述第一纳米线包括n型掺杂剂，所述第二纳米线包括p型掺杂剂。

8.如权利要求4所述的热电器件，其中所述第一硅薄膜、所述第二硅薄膜和所述第三硅薄膜还分别包括掺杂区域，且所述掺杂区域与连接到所述第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜的接触形成欧姆接触。

9.如权利要求4所述的热电器件，其中所述第一金属薄膜、所述第二金属薄膜和所述第三金属薄膜包括相同的材料。

10.如权利要求9所述的热电器件，其中所述第一金属薄膜、所述第二金属薄膜和所述第三金属薄膜包括Cu、Al、Ti、Co、TiN和W中的至少一种。

11.如权利要求1所述的热电器件，还包括设置在所述基板上的绝缘层，其中所述硅薄膜和所述纳米线设置在所述绝缘层上。

12.一种感温传感器，包括：

根据权利要求1所述的热电器件，所述热电器件将热源的热能转换为电能；

中央处理单元，通过比较所述电能与所述热源的温度值而执行操作；以及

数据存储单元，存储在所述中央处理单元中计算的数据，且与所述中央处理单元交换数据。

13.一种热源图像传感器，包括：

多个单位像素，分别包括AND逻辑电路、通过所述AND逻辑电路导通的开关装置以及根据权利要求1所述的热电器件，所述热电器件与所述开关装置电连接；

行多路复用器和列多路复用器，选择所述多个单位像素且电连接到所述AND逻辑电路；

多个电流放大器，通过被导通的所述开关装置放大所述热电器件的电能；以及

显示器，接收由所述电流放大器放大的信号并且输出图像。

14.一种形成热电器件的方法，包括：

在基板上依次形成绝缘层和硅层；

在所述硅层上形成具有第一线宽的光致抗蚀剂图案；

通过对所述光致抗蚀剂图案执行灰化工艺，形成具有比所述第一线宽窄的第二线宽的光致抗蚀剂精细图案；以及

通过采用所述光致抗蚀剂精细图案作为掩模对所述硅层执行刻蚀工艺而形成第一纳米线和第二纳米线。

15.如权利要求14所述的方法，其中形成所述第一纳米线和所述第二纳米线包括：

形成连接到所述第一纳米线的一端的第一硅薄膜；

形成连接到所述第二纳米线的一端的第二硅薄膜；以及

形成连接到所述第一纳米线和所述第二纳米线的另一端的第三硅薄膜。

16.如权利要求15所述的方法，还包括：

以n型掺杂剂对所述第一纳米线进行掺杂；以及

以p型掺杂剂对所述第二纳米线进行掺杂。