[发明专利]铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容及其制备方法无效
| 申请号： | 201110090141.3 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102184777A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张联盟;王传彬;王君君;沈强;李凌 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/08;C23C14/35;C23C14/28 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器用 bati sub 薄膜 电容 及其 制备 方法 | ||
1.铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容，其特征在于它由下电极层、BaTi2O5铁电薄膜层和上电极层组成，BaTi2O5铁电薄膜层位于下电极层与上电极层之间；下电极层为Pt/TiO2/SiO2/Si，Pt/Ti/SiO2/Si或Pt/MgO中的一种，采用磁控溅射方法逐层溅射制备；BaTi2O5铁电薄膜层采用脉冲激光沉积方法制备在下电极层上，BaTi2O5铁电薄膜层的厚度230～510nm；上电极层的材料为Pt金属，采用磁控溅射方法制备在BaTi2O5铁电薄膜层上，上电极层的厚度为80～170nm。
2.如权利要求1所述的铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：
(1)下电极层的制备：采用Pt/TiO2/SiO2/Si，Pt/Ti/SiO2/Si或Pt/MgO中的一种，利用磁控溅射方法逐层溅射制备，得到下电极层；
(2)采用脉冲激光沉积方法在下电极层上制备BaTi2O5铁电薄膜层：所用靶材为BaTi2O5陶瓷，先将下电极层和靶材送入脉冲激光沉积设备的沉积室中并抽真空，加热下电极层至650～750℃并通入高纯氧气使沉积室内的氧压为10～15Pa；随后将能量密度为2.5～3J/cm2的脉冲激光束照射在靶材表面上，使靶材表面高温熔蚀并产生高温高压等离子体羽辉；最后沉积在下电极层上形成BaTi2O5薄膜，沉积时间为2～4h，得到在下电极层上制备的BaTi2O5铁电薄膜层，BaTi2O5铁电薄膜层的厚度230～510nm；
(3)上电极层的制备：以金属Pt为靶材，采用磁控溅射方法再在上述BaTi2O5铁电薄膜层的表面上制备厚度为80～170nm的上电极层；磁控溅射工艺为：溅射气压2～10Pa，溅射功率30～60W，溅射温度200～400℃，溅射时间5～10min，溅射气氛为氩气，得到铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容。
3.根据如权利要求2所述的铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容的制备方法，其特征在于：BaTi2O5陶瓷利用热压烧结法制备而成，纯度＞98％、致密度＞90％。
4.根据如权利要求2所述的铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容的制备方法，其特征在于：所述下电极层的厚度50～180nm。
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