[发明专利]双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的技术和装置有效
| 申请号： | 201110090331.5 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102732953B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李汶军;李根法 | 申请（专利权）人： | 李汶军;李根法 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 籽晶 辅助 相传 方法 生长 碳化硅 技术 装置 | ||
1.一种双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于：在碳化硅单晶的生长过程中两片碳化硅籽晶分别置于同一坩埚的上部和下部，位于低温区，碳化硅原料置于坩埚中部，位于高温区，它们在坩埚内的分布从下到上依次为坩埚底部、下籽晶、碳化硅原料、上籽晶和坩埚顶部，碳化硅原料与下籽晶之间存在一定间距，构成下生长空间，碳化硅原料与上籽晶之间存在一定间距，构成上生长空间，其中置于坩埚中部的碳化硅原料把上、下生长空间隔开，且上、下生长空间相互不通连，所述的碳化硅原料为碳化硅晶锭或者由置于碳化硅多晶圆柱体上的碳化硅粉末和碳化硅多晶圆柱体组成的混合原料。
2.如权利要求1所述的双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于：所述的坩埚中坩埚主体和坩埚顶盖以螺纹连接，坩埚主体和坩埚底盖为一体结构或采用螺纹连接。
3.如权利要求1所述的双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于：所述的碳化硅原料与下籽晶之间的间距为10-50毫米，碳化硅原料与上籽晶之间的间距为10-40毫米。
4.如权利要求1所述的双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于：所述的碳化硅多晶圆柱体的厚度为1-60毫米。
5.如权利要求1所述的双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于：所述的碳化硅粉末和碳化硅多晶圆柱体组成的混合原料中的碳化硅多晶圆柱体为碳化硅晶圆或固定在石墨架内的碳化硅晶锭。
6.如权利要求1和5任一项所述的双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于，所述的碳化硅晶锭为以碳化硅粉末为原料或以碳和硅的混合粉末为原料，采用常规的物理气相传输方法在1800-2300℃在氩气中生长的碳化硅多晶圆柱体，所述的晶圆为碳化硅晶锭切割而成的晶片。
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