[发明专利]一种超浅结形成方法无效
| 申请号： | 201110090549.0 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102738000A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超浅结 形成 方法 | ||
1.一种超浅结形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成栅极结构；
以栅极结构为掩膜，以第一角度在所述半导体衬底中进行第一类离子轻掺杂源/漏区倾斜注入，所述第一类离子包含相对原子质量比锗大的离子；
以栅极结构为掩膜，以第二角度在所述半导体衬底中进行第二类离子轻掺杂源/漏区倾斜注入，所述第二角度比第一角度小；
执行快速退火处理，形成超浅结。
2.如权利要求1所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述栅极结构包含栅介质和位于栅介质上的栅极。
3.如权利要求1所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述相对原子质量比锗大的离子为铟离子，所述第一角度为22°～37°。
4.如权利要求3所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述铟离子的注入能量为6KeV～20KeV，剂量为1E14～2E15/cm2。
5.如权利要求1所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述第一类离子还包含碳离子或氟离子。
6.如权利要求5所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述碳离子或氟离子的注入能量为3KeV～20KeV，剂量为1E14～2E15/cm2，角度为22°～37°。
7.如权利要求1所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述第二类离子为氟化硼离子或硼离子，所述第二角度为2°～15°。
8.如权利要求7所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述氟化硼离子或硼离子的注入能量为0.5KeV～4KeV，剂量为2E14～2E15/cm2。
9.如权利要求1所述的超浅结形成方法，其特征在于，在所述第一类离子轻掺杂源/漏区倾斜注入与所述第二类离子轻掺杂源/漏区倾斜注入之间，还包括对所述第一类离子轻掺杂源/漏区倾斜注入后的区域进行热激活操作。
10.如权利要求9所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述热激活操作为热炉工艺，快速退火工艺，扩散炉热偶工艺或激光脉冲退火工艺中的一种。
11.如权利要求1所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述第二类离子轻掺杂源/漏区倾斜注入之前或之后还包括以栅极结构为掩膜，在所述半导体衬底中进行晕环注入的步骤。
12.如权利要求11所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述晕环注入的离子为砷离子或磷离子。
13.如权利要求12所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述晕环注入的角度为25°～35°。
14.如权利要求1或4或6或8中的任一项所述的超浅结形成方法，其特征在于，所述第一角度和所述第二角度均以垂直于所述半导体衬底表面的竖直面为基准。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
