[发明专利]抑制噪声的电平移位电路

权利要求书

1.一种抑制噪声的电平移位电路，包括：双脉冲转换电路(1)、高压电平移位对管(2)、欠压检测电路(3)和驱动动电路(4)，其特征在于：所述高压电平移位对管(2)的输出端连接有电流采样电路(5)，用于直接采集带有噪声的电流信号，该电流采样电路(5)与驱动动电路(4)之间连接有驱动信号恢复电路(6)，用于消除噪声并保留有用脉冲电流信号，同时将该脉冲电流信号恢复成驱动信号，传输给驱动电路(4)，对其增强后输出。

2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于：所述双脉冲转换电路(1)的输入端与驱动电压信号V₀连接，将该驱动信号V₀的上升沿和下降沿分别转换为电压脉冲控制信号V₁和V₂，并输出给高压电平移位对管(2)。

3.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于：所述高压电平移位对管(2)包括耐200V以上高压的LDMOS管L₁和L₂；该L₁和L₂管相匹配，且两管漏极与源极之间的导通电阻R₁与R₂阻值设定为大于2MΩ。

4.根据权利要求2或3所述的电平移位电路，其特征在于：两路电压脉冲控制信号V₁和V₂通过L₁和L₂对管的栅极分别输入，并在L₁、L₂的漏极分别输出第一电流信号I₁和第二电流信号I₂，该电流信号I₁和I₂小于100μA。

5.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于：所述电流采样电路(5)包括PMOS管M₁、M₂、M₃、M₄以及两个齐纳二极管D₁和D₂；该PMOS管M₁和M₂相匹配，分别构成两个电流源，分别采集第一电流信号I₁和第二电流信号I₂；该第一齐纳二极管D₁的阳极、阴极分别与PMOS管M₁的漏极、源极相连，保护PMOS管M₁不被噪声信号击穿；该第二齐纳二极管D₂的阳极、阴极分别与PMOS管M₂的漏极、源极相连，保护PMOS管M₂不被噪声信号击穿；该PMOS管M₃和M₄相匹配，其源极与电源VB相连，栅极分别与PMOS管M₂和M₁相连，构成两个电流镜，分别将第一电流信号I₁和第二电流信号I₂镜像到PMOS管M₃和M₄的漏极，通过漏极分别输出第三电流信号I₃和第四电流信号I₄；PMOS管M₄的漏极与源极之间产生有寄生导通电阻R₄。

6.根据权利要求5所述的电平移位电路，其特征在于第一电流信号I₁和第三电流信号I₃的比例U₁＝I₁/I₃大于2，第二电流信号I₂和第四电流信号I₄的比例U₂＝I₂/I₄大于2，且保证U₁＝U₂。