[发明专利]一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺

权利要求书

1.一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺，包括在衬底上制备导电膜层、第一次划刻、制备光伏吸收层、第二次划刻、制备背电极层、第三次划刻、以及清洗、检测、封装、检验、包装步骤，其特征在于：进行第一次划刻的具体步骤是：

a、用光刻机在导电膜层上制作划刻图案；

b、用干法刻蚀或湿法刻蚀按照划刻图案刻蚀出沟槽，并进行清洗。

2.根据权利要求1所述的一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺，其特征在于：所述的步骤a中划刻图案的线宽为80-110nm，步骤b中刻蚀出的沟槽宽度对应为80-110nm。

3.根据权利要求1所述的一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺，其特征在于：所述的光刻机是紫外线光刻机、或是电子束光刻机、或是X射线光刻机、或是离子束光刻机。

4.根据权利要求1所述的一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺，其特征在于：所述的湿法刻蚀包括等离子刻蚀、反应离子刻蚀、离子束铣蚀和溅射。

5.根据权利要求1所述的一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺，其特征在于：所述的步骤b中清洗采用超声波清洗。

6.根据权利要求1所述的一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺，其特征在于：所述的第二次划刻与第三次划刻的线宽为30-38um。